乐推出新 3D 芯片网络上

旧金山 — — 乐蒂 CEA 研究所，来到半导体西在这里本周将推出其第二代 3D 片上网络 (3D NoC) 技术。

使用新的 3D NoC 技术，乐研究者开发了片上通信系统，它说，极大地提高计算性能，同时降低能耗。乐研究人员完成这项由在单个盘柜，堆叠芯片或芯片并排置于硅转接板。

问关于新 3D NoC 技术示范，奥利维尔 Faynot 乐的硅组件专区，微电子组件部分经理告诉我们，”完成其布局，它现在是在铸造。一旦芯片在铸造捏造的他们将组装在乐，他说。”我们会硅出在今年第四季度。

对 3D ICs 的追求
3D Ic 芯片行业寻求走过漫长的道路，在三维集成技术的进展。 成功的例子的 3D ICs 今天包括成像仪、 2.5 D 转接板和三维存储多维数据集。

乐会也追求先进的 3D 技术砖 （穿矽孔、 μ 颠簸、 混合粘接等） 的研制和设计先进的 3D 电路作为先锋的原型。

法国研究机构披露 3D NoC 名，示威者在 ISSCC 今年早些时候提交一份文件中的第一个版本。

在那张纸，乐研究人员提出了一种均匀的 3D 电路组成的普通瓷砖组装使用 4 × 4 × 2 网络芯片，利用鲁棒和故障容错异步 3D 链接。示威者提供 326MFlit/s @ 0.66pJ / b，在 CMOS 65 纳米技术制造使用 Face2Back 配置中的 1980年的穿矽孔。

第二个版本的让我们 3D Noc 技术，推出了这一周，被称为完好 （这意味着”活跃转接板。”）

新的 3D 电路结合一系列的 chiplets 制作 FDSOI 28nm 节点和共同集成在 65 纳米 CMOS 转接板上。 活跃的转接板集成了几个低成本的功能，如通信通过 NoC 和系统 I/o、 能量转换、 可测性设计与集成无源元件，乐的公布。

(来源︰ CEA 乐)
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Leti’s latest 3D IC project demonstrated that with 3D technologies and through silicon vias (TSV), it’s possible to stack various dies together. This development “opens a full scope of new application possibilities,” said Faynot. In short, you can integrate more devices from potentially different technologies (CMOS, MEMS, DRAMs, etc.), he explained.