位供应增长导致小序贯增加为第 2 季度全球 dram 存储产品收入 6.3%

芯片，TrendForce 分工，市场供大于求继续在第二季度，对 DRAM 价格施加了下行压力。全球平均销售价格 (ASP) 的 DRAM 为所有应用程序与上季度相比，下跌超过 5%。另一方面，第二季度全球 dram 存储产品收入增长 6.3%按顺序到美国 $ 91 亿位电源的发展。从微米的 20nm 和 SK 海力士 21nm 过程的产出增加了这位供应增长的驱动力。

“看着高端市场，笔记本和服务器相关产品的出货结果平均在第二季度，但智能手机出货量仍然是强大的中国，”艾薇儿吴说，芯片研究主任。”前三个 DRAM 制造商因此继续他们转向移动产品在他们的投资组合。”芯片预计全球 dram 存储产品收入，在第三季度由于旺季备货需求大幅度增加。

所有三个主要供应商过帐收入增长作为微米作周转

三星突破第二季度收入排名、 登记每季的增长率约为 8.7%和 47.4%的全球 DRAM 市场所坚持。SK 海力士是排名第二的位置，张贴顺序的收入增加了 4%和控制 26.5%的市场份额。在第三季度营收增长 8.8%和 19%的市场份额的位置跟随微米。

ASP 在下降压低了 DRAM 供应商的经营利润率。三星的营运利润率从 40%降第一季至 36%在第二个，而 SK 海力士看到从 24%降到 18%。虽然微米仍张贴负面的运营利润率为 0.6%，这个结果是，从消极的运营利润率为 1.2%前一季度。微米的营业利润率的改善归功于它的领先制造过程的产量稳定。

SK 海力士和微米开始受益于他们各自的技术迁移

三星有顶尖的三个供应商之间以最低的总体成本作为其 20nm 过程已成为主流的制造技术为其所有产品。而三星准备迁移到 18nm 提高技术在今年年中，供应商还想限制其输出和控制市场上的供应。因此，三星略有缩减其 18nm 提高过程的硅片产能。DRAM 厂商战略着重提高 Asp 产品成本减少。

至于 SK 海力士，供应商一直在生产上 21nm 过程约两个季度与弥补它的产出大多数 PC DRAM。SK 海力士预计通过加紧努力削减成本提高其盈利能力进一步在 2016 年第二个一半。

在第二季度，微米稳步份额增加 20nm 产品在其总产出，从而提高其运营利润率。微米将拨出更多为 20nm 进程及其生产保持压低成本。”总部设在美国的供应商也会在今年下半年收入增长作为 DRAM 价格反弹，”吴说。

关于台湾 DRAM 厂商第二季演出，南亚张贴顺序收入下降 12.3%。PC 和专业 DRAM 产品低迷价格创下南亚艰难时期。同时，供应商的主要客户放慢其装运皮卡。然而，南亚即将完成建设 Fab 3A 北，并将在 2017 年上半年测试 20nm 技术那里。这个新的设施，南亚将能够降低成本。

力晶半导体 dram 存储产品收入第二季下跌 6.3%按顺序由于产品结构调整。半导体制造商已拨出更多的能够生产 LCD 驱动 Ic，目前需求很高。

华邦看到其轻微上升 3.3%，比前一季度的收入。华邦已不断提出的 46nm 产品在其总的输出中，百分比和其收入亦受惠于销售为一体的专业和移动 DRAM。Fab C 将操作很快就供应商的最新和最先进的生产设备，其最大的硅片产能将每月大约 16,000 件。华邦将最早在 2017 年上半年测试其最先进的技术 — — 38nm 进程 — — 在 Fab C。