全球 NAND 闪存收入上涨 19.6%按顺序第 3 季度需求超过的供给
NAND 闪存价格上升在第三季度，智能手机制造商继续生成相关产品的强劲需求以及从 2D NAND 技术过渡到 3 nand 闪存制造降低行业的整体输出。从芯片，TrendForce，司的最新报告认为，全球 NAND 闪存行业的收入同比增长 19.6%按顺序在第三季度。同时，NAND 闪存供应商在各自与上季度相比其营运利润率作出较大的收益。
2016 年第四季度的 NAND 闪存市场前景表示 NAND 闪存供应将下更大的压力峰值装运季节的终端设备，随着”肖恩 · 杨说，芯片研究主任。”因此，各种 NAND 闪存产品的合同价格会看到更大的增加，反过来将供应商的收入和营业利润率升至新高今年。
三星
三星保留其榜首位置在每季度的收入排名作为公司得益于从中国的智能手机品牌高容量 eMMC 和 UFS 产品的强劲需求。各供应商，三星目前拥有最大的全球市场份额为高容量 eMMC 和 UFS 产品。本公司也是全球 emcp 项目市场的领导者。同时，三星出货量的企业级策略性污水排放计划已经扩大为供应商的解决方案提供了更好的协议，为客户。
三星第三季度 NAND 闪存位增加了 20%，相比前一季度的出货量。供应商的季度收入从 NAND 闪存销售同一期间按顺序先进的约 20%。
这第四季度三星的收入前景预计将比第三甚至更好。对 eMMC、 UFS emcp 项目产品的需求将由于智能手机出货量的季节性增加年度高峰。此外，三星将继续扩大其市场份额为客户端-企业级的策略性污水排放计划。
SK 海力士
第三季，SK 海力士也很喜欢从中国智能手机品牌为 eMMC 和 emcp 项目以及股票活动相关的新智能手机版本的强劲需求。与第二季度相比，SK 海力士发布其 NAND 闪存位出货量增加了 12%和其 nand 型闪存芯片的平均销售价格 (ASP) 增加了 7%。结果，SK 海力士第三季度 NAND 闪存收入增长 20.3%依次向周围美国 $ 10 亿 6000 万。
在产品规划、 SK 海力士将能够提高其 3D NAND 生产能力为大约 20，000 ~ 30，000 晶片每月 2016年年底前。供应商将于 2017 年第一季度开始其第三代 3D NAND 闪存的出货量。供应商的第四代 NAND 闪存也可能准备好小批量运行由明年下半年。
东芝
从东芝的 NAND 闪存业务从 7 月至 9 月 （或该公司的财政年到 2016 年第二季度） 结果表明在 NAND 闪存市场回升造成供应商位出货量将增长 15%，相比去年同期三个月。此外，是供应商的 NAND Flash ASP 跌幅放缓。从整体上看，东芝的 NAND 闪存的财政收入第二季度上升约 17%按顺序。供应商也看到增加经营利润，反映了其 NAND 闪存的业务稳步改善。
关于生产规划，东芝的新改建的设施 Fab 2 在四日市 （在静冈县，日本） 已奉命产生 3D NAND 闪存和可望实现能力 40,000 晶圆每月期间此日历第四季度 （10 月至 2016 年 12 月）。晶圆厂 2 的能力将再次展开的 2017 设施排定的开始大规模生产，其 64 层 3D-NAND 闪存。东芝也将开始建设一个新的设施 Fab 6 在 2017 年 2 月。
西方的数字
该日历 2016 年第三季度是西部数字第一季度该公司的财政年度至 2017 年。在此期间，供应商集中其投资 64 层 3D NAND 闪存上。该产品现在正在测试的 OEM 客户，预计可为内存卡、 USB 驱动器和其他可移动存储设备，在今年 12 月开始。与此同时，供应商已大规模生产产品携带其 48 层 3D-NAND 闪存。这些项目包括 eMMC、 emcp 项目和其他移动和可移动存储产品。
西部数字 2D NAND 闪存主要工艺制造的 15nm 和供应商已尽其全力优化成本和最大化技术产量。因此，15nm 2D NAND 闪存仍然是西方数字收入增长的主要贡献。此外，为 NAND 闪存位年产量西部数字预计在 2017 年增加 45%。
微米
在它的财政年到 2016 年 （从 6 月至 8 月），第四季度微米张贴其 NAND 闪存位发货量的连续增长 13%和其 NAND Flash ASP 下降了 1%。因此，微米的非易失性存储器，其财政收入第四季度上升了 10%，相比前一财政季度 ud $ 10 亿。
微米的收入的细目也显示，份额组件基地略有下降到 50%，而移动的 NAND 闪存产品的收入份额略增至 18%的总销售额。在每季度的非易失性收入 SSD 的份额为 13%。汽车和其他产品约占 19%。
微米的移动产品的 3D NAND 结构基础有了从优深受客户好评。供应商也已经开始出货客户端级策略性污水排放计划进行 3D NAND 闪存。在策略性污水排放计划企业级市场，微米的咬了货物运输的但从 6 月到 8 月上涨 45%，相比前三个月期间。微米级预计将在其 SSD 组合的成本结构进行重大的改进，当它的薄层色谱法 3D NAND 记忆占其闪光输出中的多数部分。
英特尔
之间 2016年的第二和第三季度，英特尔的 NAND 闪存业务看到位出货量增长了 25%，收入增长了 17 %u $ 6 亿 4900 万，从而结束了三个连续季度的降幅。
虽然 2D NAND 芯片对 16nm 和 20nm 进程仍占最大份额的 Intel 相关的 NAND 闪存产品组合，供应商已开始发货量其 3D NAND 企业级策略性污水排放计划第三季度以来。英特尔的当前 3D NAND 企业级策略性污水排放计划被认为是在成本上代相比性能更好。至于生产计划，英特尔的 NAND 闪存晶圆厂在大连，中国预计将达到 10000 片晶圆每月这第四季度。该设施的能力将继续在 2017 年按季度逐渐扩大。