准谐振反激式拓扑的 700 V MOSFET。

英飞凌科技专门开发新 700 V CoolMOS P7 家庭服务准谐振反激式拓扑的今天和明天的趋势。

这些新的 Mosfet 提供无与伦比的性能改进相比，目前使用结技术。软开关拓扑像智能手机和平板电脑充电器但笔记本适配器也从这一优势中获益。另外，新的 CoolMOS 支持快速切换和高功率密度设计电视适配器、 照明、 音频和辅助电源。新家庭传达非常苗条的设计改进的形式因素。

新 700 V CoolMOSP7 技术提供减少开关损耗 (E OSS) 从 27 到 50%。在反激式基于充电器应用技术导致了 3.9%更高的效率。此外，设备温度被降低被达 16 k。与以前的 650 V C6 技术相比它提供 2.4%增益在效率和 12 K 设备温度较低。

集成的齐纳二极管可确保 HBM 类 2 级增加的 ESD 险峻。从改进了程序集产量导致客户获利少生产相关的故障和最后可以节省制造成本。此外，700 V CoolMOS P7 显示低损失由于其极低的 RDS (on) Q g 和 RDS (on) E 开放源码软件。新家庭与 C6 技术以及某些竞争对手的设备相比，具有附加的额外 50 V 阻断电压。

牢记易用，技术发展与 V 3 V GSth 和一个非常狭窄的宽容的 ± 0.5 V。这使新 P7 家庭很容易设计中，而使低栅源电压，使它更易于驱动，导致少空闲的损失的用法。特别是在价格敏感人群，新 700 V CoolMOS P7 提供有吸引力的价格性能比，帮助客户在以竞争力优势。

可用性

700 V CoolMOS P7 家庭是可用的最相关的导通电阻包组合，包括 360 m ω 至 1400 m ω IPAK SL、 DPAK 到 220FP。将辅之以其他款式和结合新包装创新从英飞凌很快就此结技术的导通电阻范围。