硅电容实现颠覆性技术

RS 组件 (RS) 已推出一系列新的硅电容从村田实现创新和颠覆性的技术。

从村田综合被动解决方案的专利的技术使广泛的电容值硅，允许范围，用于需要高性能和小型化的许多应用程序中集成。要求应用程序的用户识别范围的目标包括使用在空间受限的设计中，尤其是对超宽带、 以及在 RF/微波和高温应用。

村田 SiCaps 提供改进的稳定温度、 电压和老化性能超过所提供的替代电容技术，使它们理想为要求苛刻的应用程序的稳定性和可靠性在哪里的主要参数。这些可以包括产品和系统要求极为可靠的组件，如航空、 航空电子设备和汽车市场，以及医学植入物。

基于嵌入在单晶硅衬底上的整体结构，高密度硅电容器已使用金属氧化物半导体 (MOS) 处理和使用的第三 （或高度） 的维度，大幅度增加表面积 — — 和因此电容 — — 而又不增加设备的足迹。

村田用户识别范围包括较少比 100µm 厚解耦内关键空间应用，如为 IC 解耦或在基于 MOS 传感器、 宽带模块和 RFID 产品的低姿态设备。也有可以处理高稳定性; 达 250 ° C 的高温类型超宽带信号类型达 60 g h z +;和下罩应用高可靠性医疗和汽车级电容器达 200 ° c。

其他关键功能的范围包括短互连为低封装寄生效应，并与包括丝键合、 碰撞、 层压板、 引线框架和晶圆级芯片规模封装的所有包装或程序集配置的兼容性。