新加坡科学家揭开新的见解很有前途的半导体材料
来自新加坡国立大学的研究人员（NUS）建立了新的发现在二维二硫化钼（MoS2）的性质，一个被广泛研究的未来的半导体。
在两个独立的研究由Andrew Wee教授和助理教授Andrivo Rusydi从科学的国立大学学院物理系的研究人员发现，氧在MoS2的作用，以及创建多个可调的新型技术，倒置光学带隙的材料。这些新的见解，加深对mos2which内在特性的理解可能在半导体工业中的应用变换。SMT贴片加工
这些研究成果发表在著名的科学期刊《物理评论快报》和《自然通讯》上。
石墨烯的替代品
二硫化钼是一种半导体材料，它具有理想的电子和光学性能，用于晶体管、光电探测器和太阳能电池的开发和增强。
教授解释说：“二硫化钼具有非常重要的工业意义。一个原子薄的二维结构和一个1.8ev能量带隙的存在，MoS2  ；是一种半导体，可以提供比石墨烯缺乏带隙中应用比较广泛。”
氧的存在改变了二硫化钼的电子和光学性质。
在第一个研究发表在 ；物理评论快报 ；2017年8月16日，新加坡国立大学的研究人员进行了深入的分析，揭示了能量的存储容量或MoS2  介电函数；可以改变使用氧气。
研究小组观察到，当暴露在氧气中时，二硫化钼显示出更高的介电性能。这一新的知识揭示了如何利用二硫化钼的吸附和解吸氧气来改变其电子和光学性能，以适应不同的应用。这项研究还强调了在将来的研究中需要充分考虑可能影响材料性能的外在因素；
本文的第一作者是Pranjal Kumar Gogoi博士在科学大学院物理系。
MoS2  ； 具有发表在第二研究两个可调谐光学带隙；自然通讯 ；2017年9月7日，球队NUS的研究人员发现，相对于传统的半导体，通常只有一个光学带隙，电子掺杂MoS2  ；黄金可以创造物质两不寻常的光学带隙。此外，在MoS2  两光学带隙可调；是通过一个简单的、直接的退火工艺。研究小组还发现，电子掺杂导致了强电荷晶格耦合引起的可调谐光学带隙。本次论文的第一作者是辛茂银博士在科学大学院物理系。这两项研究的成果为其他具有类似结构的材料提供了见解。“MoS2  ；下一组材料称为过渡金属dihalcogenides下二维（2D TMDS）这是极大的研究兴趣，因为其潜在的工业应用。从我们的研究的新的知识将有助于我们解锁二维TMD的可能性为基础的应用如基于场效应晶体管的制备二维TMD，”助理教授rusydi。利用这些研究结果，研究人员将类似的研究其他2D TMDS和探索产生新的不同的可能性，在二维的TMDS自然界不存在有价值的特性。 ；