磁存储器高速运动磁芯技术

联合研究小组由物理系Kab Jin Kim教授，在高丽大学开发的技术大大提高速度的下一代畴壁的磁记忆KAIST教授和Kyung Jin Lee。

目前使用的记忆材料，动态和快速而稳定，S-RAM，导致记忆丢失在断电时。Flash存储器是非易失性而缓慢，而硬盘驱动器（HDD）有更大的存储，但在能源使用和物理冲击耐弱高。&nbsp；

克服现有记忆材料的局限，“畴壁的基础，研究磁记忆。磁畴壁磁记忆的核心机制是畴壁电流的运动。非挥发性是通过使用磁性纳米线和缺乏机械旋转减少了电力使用。这是一个新的高密度、低功耗的新一代记忆。&nbsp；

然而，以往的研究表明，畴壁内存速度限制是几百米/秒，由于“沃克击穿现象的最大值，指的是崩溃的速度从畴壁角进动。因此，有必要开发核心技术去除沃克击穿现象，加大对畴壁内存的商业化速度。&nbsp；

最畴壁的记忆研究用铁磁体，它无法克服的沃克击穿现象。研究小组发现，使用“磁性”的范围在一定的条件下可以克服沃克击穿现象，利用这个机制可以增加畴壁速度超过2公里/秒室温。&nbsp；

畴壁的记忆是高密度、低功耗、和非易失性存储器。记忆可以引领新一代的记忆与本研究发现高速度属性加入。&nbsp；

基姆教授说，“这项研究具有重大意义，发现新的物理现象，这时一个磁性体的角动量是0，预计将推动未来下一代存储的实现。”