研究成果为GaN功率技术的方式在高电压高于650v

研究成果为GaN功率技术的方式在高电压高于650v

世界领先的研究和创新中心在纳米电子学和数字技术的技术,和无晶圆厂的技术创新者qromis 200mm,已宣布的高性能增强型氮化镓功率器件的发展工程的热膨胀系数(CTE)相匹配的基板,在IMEC硅中试线处理。基板采用qromis商业200mm QST基板作为其专利产品组合的一部分。结果将在下周举行的反恐国际会议(四月10-11日,布鲁塞尔,比利时)。 

今天,GaN在硅技术是晶片直径达150毫米/ 6英寸商用GaN功率开关器件的行业标准平台。 IMEC已经开创了GaN为200mm和8英寸晶圆和合格的增强型HEMT和肖特基二极管的功率器件用于100V硅功率技术的发展,650v 200V和操作电压范围,大批量制造的应用铺平了道路。然而,超越650v如电动汽车和可再生能源的应用,要进一步增加缓冲厚度200毫米晶圆为较高的击穿和低泄漏等级要求的水平变得困难,因热膨胀系数(CTE)的不匹配的GaN / AlGaN外延层和硅衬底之间的。nbsp;你可以想象用较厚的Si衬底保持晶片翘曲和弓900v和1200v应用程序的控制下,但实践中了解到,这些更高的电压范围,机械强度高产量生产的关注,和更厚的硅片可以导致一些处理工具处理晶片和兼容性的问题。nbsp;

精心设计的CMOS晶圆厂友好的QST®基板CTE匹配具有热膨胀,非常接近的GaN / AlGaN外延层的热膨胀的核心,是900v-1200v缓冲器和超越铺平了道路,在一个标准的半规格厚度200mm基板。此外,QST®基板的开放视角很厚的GaN缓冲,包括实现独立的和非常低的位错密度的GaN衬底& gt;100微米厚的外延层的快速增长。这些特点使期待已久的商业垂直GaN功率开关和整流器适用于高电压、大电流的应用,目前由Si IGBTs和SiC功率FET和二极管为主。 

“QST®是革命性的GaN技术和业务为200mm和300mm的平台”,Cem Basceri说,qromis的总裁和首席执行官。 “我的叠加的领先技术,从qromis看到高性能GaN功率器件的成功示范非常高兴,IMEC和爱,”Basceri说。 

在这个具体的合作,IMEC和qromis开发增强型功率器件的具体结构的GaN外延层的200毫米QST®基板,与Aixtron的G5 + C 200mm批量制造MOCVD系统生长缓冲。 

IMEC然后移植其p-GaN增强型功率器件技术200mm氮化镓在硅衬底上pilotline QST和表现出高性能的功率器件的阈值电压为2.8伏。 

“工程QST®基板qromis无缝移植促进我们的工艺在Si衬底上GaN厚膜GaN标准厚度参考QST®基板使用AIX G5 + C系统,在共同努力qromis IMEC,和爱,”Stefaan Decoutere说,在IMEC GaN功率技术项目主任。仔细挑选材料的核心的基板,以及发展的光封闭包装层导致FAB兼容的标准厚度基板和第一次正确处理的功率器件;

IMEC确认资金从电子元件系统的欧洲领导共同事业拨款协议没有662133下,指定为PowerBase。

关于IMEC  

IMEC是世界领先的研究和创新中心在纳米电子学和电子技术。我们广受好评的微芯片技术,深厚的软件和信息和通信技术的专业知识的结合,使我们与众不同。通过利用我们的世界级基础设施和在众多行业中的合作伙伴的本地和全球生态系统,我们在医疗、智能城市和移动、物流和制造、能源和教育等应用领域创造了突破性的创新;

作为公司的一个值得信赖的合作伙伴,初创企业和高校,我们将接近3500聪明的头脑,来自70多个民族。 IMEC总部在Leuven,比利时,和具有分布式R&D组在一些佛兰德大学,在荷兰,台湾,美国,中国,和印度和日本的办事处。 2016,IMEC的收入(P&L)总额为4亿9600万欧元。 

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