中国主要内存公司安排试生产开始于2H18

根据DRAMeXchange的说法,对集的一个部门,中国已经进入了半导体行业,专注于国内存储产业的发展。三个关键参与者分别是YNTC,NYNOTRON(何飞昌欣)和JHICC,分别在NAND闪存、移动DRAM和专用DRAM上工作。这三家公司都安排了试生产,从2H18开始,批量生产在1H19开始。这将使2019的中国国内的内存芯片生产的第一年。 

至于三家供应商的时间表,在2017年6月完成了UNINOTAN工厂的建设,设备安装在3Q17期间进行。目前,UNIANTRON和JHICC都推迟了试生产到3Q18,并初步安排大规模生产在1H19中进行,落后于他们公布的时间表。此外,NUNTRON显然想与顶级DRAM供应商竞争,通过选择LPDRD48GB芯片作为其第一个产品,但有一个很可能的是,YUNTRON将有潜在的专利侵权问题。为了避免争论,NUNTRON将需要得到国际法律认可的IPS。另一个更安全的方法是在一开始就只在国内市场销售产品。

JHICC致力于特种DRAM的制造,于2016年7月公布了一项计划,投资53亿美元在福建省晋江建造一个12英寸的晶圆厂。JHICC已将其专用DRAM产品的试制推迟到3Q18,批量生产到1H19。

在中国国内的NAND闪存行业而言,本民族的记忆基地破土动工,2016年12月末,三3d-nand闪存制造工厂将建在有三个阶段的顺序。一期工程建设于2017年9月完成,设备安装工作于3Q18开始。第一期工厂也计划在4Q18开始试生产。在其早期运行阶段,第一阶段工厂将生产32层MLC 3D NAND闪光灯,其晶圆启动预计不会超过每月10000。第二期和第三期工厂的建设及其生产计划将根据YMTC完善其64层设计的情况进行,DRAMeXchange说。

根据国内DRAM供应商的研发计划和生产计划,TrimExchange预计中国内存行业将于2019正式投产。由于中国供应商需要时间来攀登,全球DRAM市场的竞争格局不会随着JHICC和NUNTRON的进入而立即改变。对于DRAM和NAND行业而言,这些中国半导体公司仍然是新的挑战者,与现有的存储器芯片制造商相比,可能会遇到更多的挑战,因此有可能它们的进度比预期的慢,并且在日程上有延迟。

从长远来看,中国DRAM供应商可能能够在2020至2021年满负荷运行,因为他们实现其产品的成熟。JHICC和UNIONTRON的总生产能力预计在2020—2021年达到每月250000片。届时,它们将对全球DRAM市场产生一些影响。另一方面,由于三个设施一起将具有每月300000个晶片的总容量,YMTC可以开始大幅提高其晶片启动后,它已经完成了其64层产品的开发。这一趋势反过来又会对NAND Flash未来三至五年的整体市场供应产生巨大影响。

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