1200 V 碳化硅 MOSFET 技术亮相


2016 年 5 月 5 日

英飞凌科技推出了革命性碳化硅 (SiC) MOSFET 技术,使产品设计,来达到前所未有的功率密度和性能。

英飞凌的 CoolSiC Mosfet 提供新程度的灵活性提高效率和频率。他们将帮助开发人员的电源转换方案,节省空间和重量,减少冷却要求,提高可靠性和降低系统成本。

“二十多年来,英飞凌一直站在前列的开发 SiC 解决方案哪个地址要求为节约能源、 减小体积、 系统集成和可靠性高,”说博士赫尔穆特 · 应用方面,英飞凌总统工业电源控制司。”英飞凌制造了数以百万计的含碳化硅器件,而我们的肖特基二极管和 J FET 技术允许设计师来实现功率密度和性能不可能与传统的硅产品。战略已经提出包括提高 SiC 技术从一个新的水平,从来不可能提供的福利的功率 Mosfet 的重要一步。”

SiC MOSFET 功能使电源转换方案三倍或更多操作中使用的开关频率的今天。这导致了好处,例如减少在磁学和系统住房,促进更小、 更轻的系统,为减少运输工作量并更容易安装使用的铜和铝材料。支持节约能源的新解决方案将通过功率转换应用程序的设计者得以实现。这些应用程序可以利用性能、 效率和系统的灵活性,在一个完全新的维度。

全新的 1200 V SiC Mosfet 进行了优化,将可靠性与性能相结合。他们配合 ‘基准’ 动态损失比 1200 V 硅 (矽) Igbt 低一个数量级。这最初支持系统改进如光伏逆变器、 不间断电源 (UPS) 或充电器/存储系统应用程序中,而以后的配置也会延长到工业驱动器的支持。

Mosfet 是完全兼容的通常用来驱动 Igbt + 15 V/5 V 电压。他们结合基准阈值电压额定值 (V th) 的 4 V 与短路完全可控的 dv/dt 特征与目标应用程序所需的鲁棒性。在 Si IGBT 替代品的主要好处包括温度独立开关损耗和阈值电压无状态的特性。

新 Mosfet 基于海沟半导体工艺和代表英飞凌全面的 CoolSiCtechnologies 的最新进展。该系列包括肖特基二极管 and1200 V J-fet 型器件和一系列的集成硅 IGBT 和碳化硅二极管模块装置中的混合解决方案。

第一次离散 1200 V CoolSiC Mosfet 特征导通电阻 (R DS(ON)) 评级的只是 45 m ω。他们将提供 3 针和 4 针到 247 包针对光伏逆变器、 UPS、 蓄电池充电和能量存储应用程序中。两个设备都已经准备好用于同步整流方案由于减刑强健的身体二极管工作几乎为零的反向恢复损耗与整合。4 针软件包包含额外的 (开尔文) 连接到源,作为参考潜在的门极驱动电压。通过消除源电感产生的电压降的影响,这进一步降低了开关损耗,特别是在更高的开关频率。

英飞凌还宣布 1200 V ‘Easy1B’ 半桥和助推器模块基于 SiC MOSFET 技术。结合良好的热界面、 低杂散电感和鲁棒设计的压接连接,每个模块是与 11 m ω 和 23 m ω 的导通电阻评级选项可用。

英飞凌将在第二个一半到 2016 年,批量生产计划于 2017 年开始采样的目标应用程序。

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