高效率和宽带解决方案的移动宽带

Ampleon 已经宣布其第二代的 50 伏特 0.5 um 甘对 SiC 的射频功率晶体管，专用于移动宽带应用。

提供 5%改善掌权相比 LDMOS 器件的效率和使大功率多波段应用程序，这个甘家庭还提供约 30 至 50%的大小减少时相比，类似 LDMOS 晶体管。

PA 设计师就可以更容易地找到完美契合为每一组特定的要求，效率、 大小、 电源和成本，同时在巴勒斯坦权力机构和晶体管设计中，得到的充分的利益，Ampleon 的经验和制造。新的投资组合将包括所有主要细胞带 1.8 和 3.8 GHz 之间与 15 到 600 瓦峰值功率晶体管。

CLF2H27LS-140 是提供 140 瓦的乐队 41 峰值功率的单端晶体管。目前取样其他设备包括 CLF2H1822LS 160 和 CLF2H38LS-40 （驱动程序） CLF2H1822LS-220 适合 1.8 至 2.2 g h z 频段的应用程序，和 CLF2H38LS-140 申请 3.4 至 3.8 g h z 时与 140 和 40 瓦特输出 P3dB。

家庭是理想的射频功率放大器设计人员开发高效率或多波段 Doherty 功率放大器在无线基础结构网络中使用。

Ampleon 提供全面的应用程序支持，包括准备去多尔蒂参考设计，优化的大批量生产。