GloFo 增强 130nm SiGe 射频过程

GloFo 已增强其 130nm 射频 SiGe 过程提供 5 G 的性能。

技术是针对那些需要改进的性能的解决方案为汽车雷达、 卫星通信、 5 G-毫米波基站和其它无线和有线网络的通信网络应用程序的客户进行优化。

GLoFo 的硅锗 8XP 技术是本公司的 130nm 高性能硅锗系列新的扩展，使客户能够开发射频解决方案，以提供更快的数据吞吐量，在更远的距离，同时消耗更少的电力。

技术提供更高的信号完整性，低噪声图改进异质结双极晶体管 (HBT) 性能和高达 25%增加最高振荡频率 （大） 到 340 g h z 到其前置任务，锗 8HP 相比。

工作在 mmWave 频段的高带宽通信系统的复杂度和性能要求已创建高性能硅解决方案的必要性。相控阵天线使用者应用程序除了当前的应用程序依赖锗的高性能，如通信基础设施基站，回程，卫星和光纤的光纤网络，这将创建射频前端的 5 G 智能手机和其他 mmWave 高性能硅锗解决方案的机会。港泉SMT

GLoFo 的博士 Bami Bastani 说:”5 G 网络，可望带来创新对射频 SOC 设计以支持高带宽数据传输和满足增加的数据速率和低延迟的应用，要求一个新的水平”。

与明天的 5 G 部署准备开基站与较小的单元格区域扩散，SiGe 8HP 和 8XP 旨在帮助提供平衡的值、 输出功率、 效率、 噪音低、 线性度在微波和毫米波频率区分在下一代移动基础设施硬件和智能手机射频前端射频解决方案。

GloFo 的硅锗 8HP 和 8XP 高性能产品可使芯片设计师要同时开发更经济的硅技术基础相比，砷化镓 (GaAs) 和更高的性能比 CMOS 集成重大数字和射频功能。

除了在 mmWave 频率有效运作的高性能晶体管，SiGe8HP 和 8XP 引进技术创新手段，可以减少模具尺寸，并使地区高效的解决方案。

一种新的铜金属化功能改进当前的承载能力提供五倍在 100 ℃，电流密度或多了到 25 摄氏度高运行温度是相对于标准铜的电流密度相同行。

此外，GLoFo 生产-经验证的 TSV 互连技术可用。