转给格罗方德致力于下一代 FDSOI 过程

伦敦 — — 由转给格罗方德公司 （位于加州圣克拉拉） 开发的 22FDX 完全耗尽绝缘体上硅 (FDSOI) 过程是有望亮相今年晚些时候，该公司正在对后续的过程中，根据首席技术官加里 · 巴顿。

转给格罗方德声称其 22FDX 平台，四个过程与不同的优化，可以提供 FinFET 性能和能源效率与平面 28nm 相媲美的成本在 CMOS。执行后偏置的能力提供了机会来动态更改的晶体管操作性能从最小的泄漏。

然而，FinFET 生产仍然领先 ICs，铸造厂，包括转给格罗方德，和 IP 开发人员最好支持的主流选择。另外三星的铸造也提供 28nm FDSOI 过程。

巴顿，以前的职业生涯长 IBM 研究员，被带到转给格罗方德当铸造收购了 IBM 的半导体业务 （见 IBM-转给格罗方德交易完成）。港泉SMT

“我们看着这两个 FinFET 和 FDSOI 完美的适合移动的空间，”巴顿本周在布鲁塞尔举行的 IMEC 技术论坛间隙告诉 EE 时代欧洲。”工作开始在马耳他 （纽约），并已转移到德累斯顿。产量比原计划提前，重点是获取 IP 建立的设计。

转给格罗方德正与一家名为 Invecas 公司开发基础 IP 以其 14nm FinFET 和 22nm FDSOI 制造工艺。22FDX 的时间表已经转给格罗方德开始晚在 2016 年为客户风险生产与批量生产到 2017 年。

巴顿作出 FinFET 进程与他们高的驱动电流性能非常适合于驱动信号线，跨大芯片和持续的性能是必需的点。然而，更小的芯片和芯片功耗哪里键然后 FDSOI 是更好的选择。巴顿也使 FinFETs 有一个量化的驱动器政权，开发人员必须在选择 1，2 或更多的鱼鳍，不适合于模拟或射频信号之间的点。

但虽然转给格罗方德吹捧 22FDX 模拟和射频 (RF) 物联网 （物联网） 巴顿使点过程还涉及数字的要求。”有一吨的数字业务移动坐在 65 纳米，40nm。成本的迁移到 FinFET 高相比移动到另一个平面的过程，如 FDSOI，”他说。

然而 FDSOI 过程 — — 最初由 ibm 公司的研究和由意法半导体和现在转给格罗方德和三星 — — 随后倡导有困难的妊娠。它是一项初步协议，意法半导体与转给格罗方德在卷在德累斯顿晶圆厂生产 FDSOI 四年 (见 ST 打开向上与转给格罗方德 28 毫微米，20 nm FDSOI)。

与潜在设计的可能性为 FDSOI 去 16nm 和 10nm FinFET 进程的路线图 — — 缺乏 wins 可视为缺点。现代设计涉及到迁移的预测数量的专有和第三方 IP 核，因此连续性的过程具有重要意义。

“我们正在在马耳他的下一代完全耗尽过程，”巴顿说没有确认名义节点名称。标签具有最小尺寸的节点是在现代时代很大程度上没有实际意义。即将到来的 10nm 和 7nm 节点从台积电将分别有约 20 和 14nm 的最小特征尺寸和 32 纳米或 36 纳米球场上产生。

— — 彼得克拉克涵盖 EE 时代欧洲商业新闻和模拟。

文章最初发表在 EE 时代欧洲。