• 港泉SMT教您做一个简单的热风枪焊接工具

    今天港泉SMT教您做一个简单的热风枪焊接工具来移动或去除微小的表面贴装元件,采用标准的烙铁作为基础,就像锤子杀了一只苍蝇一样有效。如果您要购买昂贵的热风枪工作站似乎有点小题大做了,看看今天的操作方法,港泉SMT会您构建一个简单的热风枪焊接工具。不知道我们在谈论什么?嗯,你可能要点击,无论如何,这是一个令人印象深刻的壮举仍然可能想让你在特定的游戏机(或没有)安装特殊芯片。对于今天的操作方法:你需要: 无线电Shack的去烙铁 小鱼缸气泵 六八尺乙烯鱼缸空气软管 脱焊编织或钢丝绒 扎带 修改脱烙铁 …

    公司新闻, 基础知识 2016年5月9日
  • 动态RAM,DRAM内存技术教程

    DRAM动态RAM DRAM操作 DRAM类型 动态内存,或内存是一种随机存取存储器,RAM。它被广泛使用在个人电脑和其他处理器为基础的系统作为工作记忆的基本形式。 虽然各种半导体存储器,可用其他不同类型,动态存储器DRAM被广泛应用于各种微处理器和计算机设备。 多年来,DRAM是最广泛使用的内存技术是广泛使用的今天。 DRAM技术是什么? 如名字或DRAM,动态随机存取存储器,所暗示的,这种形式的存储技术是一种新型的随机存取存储器。它存储在存储单元内的一个小电容上的每个比特的数据。电容器可以被…

    基础知识 2016年5月9日
  • 半导体存储技术和类型

    半导体存储器的类型 内存规格 DRAM动态RAM EEPROM 闪存 FRAM MRAM SDRAM SRAM静态RAM P-RAM相变RAM 半导体存储技术是当今电子技术的一个重要元素。通常是基于半导体技术,在任何设备中使用一个处理器的一种形式或另一种存储器。 事实上,随着处理器越来越流行,微处理器控制的项目的数量也在增加,因此对半导体存储器的要求也越来越多了。一个额外的驱动程序是一个事实,即与处理器和计算机相关联的软件变得更加复杂和更大,这也大大增加了对半导体存储器的要求。针对内存的压力,新…

    基础知识 2016年5月9日
  • ASIC的基础教程

    Navigation:: Home >> Electronic components >> this page 专用集成电路,专用集成电路 ASIC设计&发展 专用集成电路或ASIC,顾名思义,非标集成已被设计为一个特定的使用或应用电路。一般ASIC的设计将是一个产品,将有一个大的生产运行中进行的,与ASIC可能包含在一个单一的集成电路所需的电子非常大的一部分。可以想象,一个ASIC设计的成本很高,因此他们倾向于用于大批量的产品。 尽管一个ASIC设计的成本,ASIC可以非常成…

    基础知识 2016年5月9日
  • SMT贴片元件器件怎么焊接?

    这是一个简单的手表面贴装焊接顺序表。它的目的是让那些没有任何表面贴装焊接经验能够焊接贴片元件。 首先我们需要准备以下工具 烙铁 一个有温度控制,强烈推荐。 精细烙铁位(例如仅1mm) 我用一个是这种形状为1mm横跨提示: (这是“拖焊’细间距IC的好形状) 烙铁海绵 如果您在用干净位工作习惯是没有准备好,你要成为这个! 良好的照明 明显的实物,但非常有帮助。 细镊子 放置小零件。 尖实施 有用的推小部件放入到位并保持他们那里,而焊接。我建议像这样便宜焊接援助设置有两个直和弯曲尖的东西…

  • FPGA教程

    FPGA教程 现场可编程门阵列,或FPGA是一种装置,广泛应用于逻辑或数字电子电路。FPGA器件包含可编程逻辑和互连。可编程逻辑元件,或逻辑块,因为它们是已知的,可以由逻辑门的东西,通过内存单元或块的回忆,或几乎任何元素。 FPGA是什么? FPGA的优势在于芯片是完全可编程的,可以重新编程。在这种方式中,它成为一个大的逻辑电路,可以根据设计配置,但如果需要改变,它可以重新编程的更新。因此,如果电路板卡制造和包含FPGA作为电路的一部分,这是编程的过程中,但后来被重新编程,以反映任何变化。因此,…

    基础知识 2016年5月9日
  • CCD图像传感器的设计

    Navigation:: Home >> Electronic components >> this page 电荷耦合图像传感器,设计,是一个特殊的形式,其母器件、电荷耦合器件,CCD。如此受欢迎的,现在它被称为CCD。 的设计概念已认识多年。事实上,1970在其母器件电荷耦合器件CCD首先提及使用CCD作为图像传感器的想法。随着CCD的广泛应用,大量的研究很快就开始的主要目标之一是开发一个电荷耦合图像传感器。 创意产业是一种有效的修饰形式,CCD。主要的区别是,盖茨都是半透明的,光可以达到活…

    基础知识 2016年5月9日
  • 什么是可控硅教程

    双向可控硅的教程/介绍 结构 理论与操作 移民局 晶闸管 双向可控硅是控制电流的一三端半导体器件。它得名于术语三极管交流。 它实际上是一个发展的晶闸管或晶闸管,但不同的晶闸管,只能向一个方向进行,这是一个双向可控硅装置。 可控硅/晶闸管的比较 双向可控硅是用交流开关应用的理想设备,因为它可以控制在一个循环交替的两电流。晶闸管只能控制一个周期的一半以上。在余下的一半没有传导发生,因此只有一半的波形可以利用。 典型/理想的可控硅&晶闸管的开关波形 事实上,双向可控硅可以用来控制电流…

    基础知识 2016年5月9日
  • HEMT高电子迁移率晶体管教程

    场效应管概述&类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管,场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 HEMT或高电子迁移率晶体管是一种场效应晶体管,场效应管,是用来在微波频率下提供非常高的性能水平。 HEMT的结合提供了一个低噪声结合在很高的微波频率下操作的能力。因此,该设备是使用在射频设计领域的高性能是必需的,在非常高的射频频率。 HEMT器件的发展 …

    基础知识 2016年5月9日
  • FinFET技术基础

    场效应管概述&类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管,场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 FinFET技术最近看到大量采用内使用集成电路。 FinFET技术承诺提供将需要确保在集成电路集成水平的提高目前的进展可以保持可扩展性优异的水平。 FinFET提供集成电路处理,意味着它已被作为一种主要的方式用于在集成电路技术的优点。 这种类型的场效应管教…

    基础知识 2016年5月9日
  • 砷化镓场效应晶体管MESFET教程

    场效应管概述&类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管,场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 该器件是一个高性能的场效应晶体管,主要用于高性能微波应用和半导体射频放大器的形式。 缩写MESFET代表金属半导体场效应晶体管。 在其最流行的形式,它是由砷化镓和称为偏置。 GaAs FET或MESFET的许多功能与标准的结型场效应晶体管和JFET,虽然M…

    基础知识 2016年5月9日
  • 什么是 SCR 可控硅整流装置或晶闸管

    晶闸管 / 可控硅教程 晶闸管结构 晶闸管理论和操作 GTO 可关断晶闸管 移民局 双向可控硅 晶闸管或硅可控的整流器,SCR 是找很多用途,特别是在电子学中,功率控制。这些设备甚至被称为高功率电子的主力。 晶闸管是能够切换大级别的力量将因此它们用在各种各样的不同的应用程序。晶闸管甚至发现在低功耗电子学中使用,在使用它们的在许多电路从调光器电源过压保护。 词 SCR 或硅可控整流电路通常同义词与晶闸管-SCR 或硅可控的整流器是实际使用的通用电气贸易名称。 SCR 的发现 1950 年,晶闸管的…

    基础知识 2016年5月9日
  • VMOS 场效应晶体管

    FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET VMOS 场效应晶体管或 Fet 是一种形式的功率 MOSFET 和这些电子组件用于各种应用程序需要有中等的权力。VMOS 场效应管获得它的名字来自它是”垂直金属氧化硅”的事实。从这可以想象 VMOS 场效应管有很多相似之处…

    基础知识 2016年5月9日
  • 场效应晶体管路口,JFET 教程

    FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET 交界处 FET 或 JFET 是更广泛使用的电子元件之一。场效应晶体管,待开发的第一个形式,它用于在电子设计中的许多应用程序。 场效应管或 JFET 交界处是兼用的形式在集成电路内及离散的电子元器件,电子组件。然而,JFET 的年轻关系,MOSFE…

    基础知识 2016年5月9日
  • 场效应晶体管是什么 ︰ 场效应晶体管类型

    FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET 场效应晶体管、 场效应管已经成为电子行业内非常广泛的设备。 虽然它后来比双极晶体管进入主流电子场景,它有很多用途和整体是任何其他活动的设备更为广泛的应用。 许多不同类型的 FET 习惯从离散的小信号设备,通过电力电子技术。但是它是供其使用集成电路内…

    基础知识 2016年5月9日
  • UMOS 和 UMOSFET

    FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET UMOS 场效应晶体管或 UMOSFET 是一种用于 MOS 晶体管的垂直或”战壕”式结构。这种形式的半导体”沟”或垂直半导体技术提供速度和降低对电阻方面的巨大优势。因此很多厂家的半导体电子元器件提供…

    基础知识 2016年5月9日
  • 光敏三极管教程

    光敏三极管 光敏三极管符号及电路 光电晶体管 光电耦合器 / 光电隔离器 请参见 光电二极管 还有种类繁多的电子设计器可用的光敏器件。虽然光电二极管履行很多要求,晶体管或照片晶体管也是可用的和更适合于某些应用程序。提供高水平的增益和标准设备,成本低,可以在许多应用程序中使用这些器件。 照片晶体管的想法已经认识很多年。威廉 · 肖克利首先提出了思想于 1951 年,不长时间后发现了普通晶体管。它当时只有两年之前照片晶体管被证明。自那时以来器件在各种应用程序,使用和它们的发展一直延续至今。 光敏三极…

    基础知识 2016年5月9日
  • 齐纳电压参考二极管教程

    齐纳二极管参考教程 齐纳二极管理论与结构 齐纳二极管电路 规格及特点 带隙基准源 其他二极管 齐纳二极管被广泛用作电子电路中的电压参考二极管。齐纳二极管允许简单的电压调节器电路被做,除了这个,他们是廉价和容易制造。 齐纳二极管已经很多年,可用,如今他们广泛应用于许多领域的电子线路。他们明显的用途是内电力供应监管机构,但它们可以作为在许多电子线路的合理稳定的参考电压。此外,它们可以用于删除可能不需要的波形中的山峰。在一个特定实例中他们可以用于删除,可能会破坏一个电路或导致其超载的穗状花序。 虽然齐…

    基础知识 2016年5月9日
  • 阶跃恢复二极管,开关磁阻电动机

    阶跃恢复二极管或开关磁阻电动机是一种可以用作一个电荷控制开关的半导体二极管,它有能力生成很尖脉冲。鉴于它的操作方法,它也称为”管理单元关闭”二极管、 二极管”电荷存贮”或”内存变容管”。 设备在微波射频电子脉冲发生器或参量放大器作为发现大量的应用程序。它发现用途中不同的角色,包括非常短脉冲的产生、 超快波形产生、 梳的一代和高次倍频的数目。二极管,也有能力在中等功率水平,工作,这给它提供一些其他无线电频率技术的明显优势。 开…

    基础知识 2016年5月9日
  • 变容管 / 变容二极管教程

    变容二极管教程 突然 & 超突变结结 规格及参数 变容二极管电路 其他二极管 变容二极管或变容二极管的半导体器件,广泛应用于电子行业并使用在许多应用中需要电压控制可变电容的地方。虽然术语变容二极管,变容二极管可以交替使用,较常见的术语这些天是变容二极管。 虽然普通 PN 结二极管表现可变电容效应,这些二极管可以用于此应用程序,优化,以提供所需的更改在电容的特殊二极管。变容二极管或变容二极管通常使电容的变化,取得的方式,他们可以制造很多更大的范围。有各种类型的变容二极管从相对标准品种到那些…

    基础知识 2016年5月9日
  • PIN 二极管

    PIN 二极管教程 PIN 二极管特性 PIN 二极管结构 PIN 二极管中的应用及电路 其他二极管 PIN 二极管,p-i-n 二极管是本质上是普通的 PN 结二极管的提炼。它的发展从原始的 PN 二极管发展活动站起身来申请新的二极管很快就被发现。 PIN 二极管不同于基本的 PN 结二极管,PIN 二极管包括一层内在材料的 P 和 N 层之间。由于固有层 PIN 二极管有高的击穿电压,他们也表现出较低的结电容。除了这大的删除区域的 PIN 二极管作为光电二极管是应用的理想选择的。 PIN 二…

    基础知识 2016年5月9日