耿氏二极管 / 转移电子设备-教程

耿氏二极管也称为转移电子器件，特德，广泛应用于微波射频应用频率 1 和 100 千兆赫之间。

耿氏二极管最常用的用于生成微波射频信号 — — 这些电路也可称为转移的电子振荡器或 TEO。耿氏二极管也可能用于放大器在什么可能称为转移的电子放大器或茶。

随着耿氏二极管是易于使用，他们形成一种生成微波射频信号的成本相对较低的方法。

耿氏二极管基础知识

耿氏二极管是一个独特的组件 — — 即使它被称为一个二极管，它不包含 PN 二极管结。耿氏二极管或转移的电子设备可以被称为一个二极管，因为它确实有两个电极。它取决于散装材料属性，而不是那一个 PN 结。耿氏二极管操作取决于它有电压控制负阻的事实。

背后转移的电子效应的机理首先在 1961 年由雷德利和沃特金斯发表在一篇论文。进一步的工作发表在 1962 年，然后在 1963 年约翰 Battiscombe (J.B.) 伊尔桑葛独立观察使用砷化镓半导体砷化镓的第一次转移的电子振荡。

电路原理图的耿氏二极管符号

耿氏二极管的符号在电路图中使用各不相同。一个标准的二极管是常见于在图中，然而这种形式的耿氏二极管符号并不表示耿氏二极管不是 PN 结的事实。而另一种符号显示两个三角形填充点触摸使用如下所示。

耿氏二极管符号

耿氏二极管建设

耿氏二极管被捏造的由一块单一的 n 型半导体材料。最常用的材料是砷化镓和磷化铟、 磷化铟镓砷化物。然而其他包括 Ge、 碲化镉、 铟、 锑化铟、 硒化锌和其他原料都是。该设备是只是接触 n + n 型酒吧。它是需要使用 n 型材料，因为转移的电子效应是只适用于电子和不上发现的一种 p 型材料的小孔。

在该装置内有三个主要的领域，可以大致被称为的顶部、 中部和底部的领域。

一个离散的耿氏二极管与现用图层安装
高效传热散热器上

耿氏二极管就是成长的制造和退化的 n + 衬底上外延层的最常用的方法。活动区域是几个微米和厚厚的几个几百微米之间。这现用图层有 1014 厘米 3 和 1016 厘米 3 之间的掺杂水平 — — 这是大大低于所用设备的顶部和底部的区域。 厚度取决于所需的频率。

最上面一层 n + 可以外延沉积或掺杂使用离子植入。设备的顶部和底部区域是重掺给 n + 材料。这提供了所需的高电导率领域所需的连接到设备。

设备通常安装在导电底座上向线连接。基地还充当散热片是去除热的关键所在。连接到其他终端的二极管是由通过沉积到顶面金连接。黄金是必需的因为它的相对稳定性和高电导率。

在制造过程中有大量的设备要成功的强制性要求 — — 材料必须是零缺陷，它还必须有非常均匀掺杂水平。