光的电阻器，光敏电阻或光电池

光的电阻器，LDR，是许多常见的名称包括光敏电阻、 照片电阻、 感光、 光电导的单元格或简单的光电池。它可能是最广泛的数据和指令表中的属性用于国内设备术语光电池。

光敏电阻或光电阻器，LDR，发现许多用途作为一个低成本的光敏感元素，用于照相测光表以及其他应用程序如火焰、 烟雾和防盗探测器、 读卡器和照明控制路灯的许多年。经常在文献中光敏电阻称为光电池作为一个更通用的术语。

光敏电阻发现

光敏电阻或光依赖电阻器已经使用很多年。光敏电阻已见于当硒光电导史密斯发现于 1873 年，19 世纪早期的形式。自此以后取得了很多变种的光电导器件。

许多有用的工作在 1920 年他出版了一份题为”Thalofide 细胞-新光-电”采用 T.W.情况下进行。

其他物质包括 PbS，硒和碲研究了 1930 年代和 1940 年代，然后在 1952 年，罗林和西蒙斯开发利用硅和锗的光导体。

光电阻器符号

用于光电阻器的电路符号或光敏电阻结合其电阻行动同时指出它对光敏感。基本光电阻器符号具有矩形用于指示其电阻的行动，然后有两个传入的箭头-用于光电二极管和晶体管，以指示其感光度相同。

在电路原理图中使用的光电阻器符号

对于大多数应用程序，使用的光电阻器符号将是那以电阻与箭头，但在某些情况下那些绘制电路原理图喜欢包住一圈电阻。更常用的光敏电阻符号是没有绕电阻。

光敏电阻机制

光敏电阻或光电池是一个组件，它使用感光之间两个联系人。注意到当这暴露在光照变化在抵抗。

当光子被吸收由半导体材料用于感光，光电-光敏电阻背后的机制-结果所产生的移动运营商。虽然不同类型的材料用于光依赖电阻半导体，用作照片电阻时，他们只用作电阻元件和有没有 PN 结。因此该设备是纯粹是被动的。

有两种类型的感光和因此光敏电阻 ︰

• 内在的光敏电阻 ︰ 此类型的光敏电阻使用涉及励磁的电荷载流子从价带和导带的光导材料。
• 外在的光敏电阻 ︰ 此类型的光敏电阻使用涉及励磁的电荷载流子的杂质和价带或传导带之间的光导材料。它需要在阳光下不电离的浅杂质掺杂。

  Extrinisc 光敏电阻或光电池一般设计为长波长的辐射-经常红，但为了避免热代他们需要在低温下操作。

基本的光敏电阻结构

虽然有很多方法在哪轻的依赖电阻器，或可以制造光敏电阻，当然，也还有几个更常用的方法看。本质上是 photoresisitor 或光电池电阻由材料组成对暴露在光的光敏感。该照片电阻元件包括两端接触材料的截面。

轻微的依赖或照片电阻的典型结构使用在绝缘衬底上沉积源半导体层。半导体通常轻掺杂来使其具有所需的级别的电导率。联系人然后放两边的暴露面积。

光敏电阻结构的一种形式

在基本光敏电阻或光电池结构中，材料本身的电阻是一个关键问题。为了确保所造成的光主导的电阻变化，尽量减少接触电阻。要做到这一点，周围接触的区域是通常重掺以减少在这一地区的阻力。

在许多情况下之间的接触面积在之字形或指间区纹的形式。这最大化暴露的面积和通过保持触点之间的距离小它降低杂散的阻力水平，提高增益。

光敏电阻或光电池与叉指接触模式

它也是可以使用到类似陶瓷基片上沉积多晶半导体。这使得非常低成本的光电阻器

光敏电阻的应用

光敏电阻或光电阻器的吸引力在于在许多电子线路设计其成本低、 结构简单，坚固耐用的特点。尽管它不可能有一些光电二极管和光电晶体管的特性，它是许多应用的理想选择。由于照片电阻广泛应用于电路如摄影米、 火焰或烟雾探测器，防盗报警，读卡器、 街道照明控制系统和其他许多人。

光敏电阻的性质可以变化相当广泛取决于所用的材料类型。一些例如有很长的时间常数。因此，有的是需要仔细选择的光敏电阻任何给定的电路或应用程序的类型。