晶体管规格和参数定义

晶体管广泛提供了五十多年了。由于各种各样的晶体管是可用的。选择新晶体管或晶体管替换现有的电路，它有必要看看晶体管晶体管规格表晶体管的绩效评估中的参数。

为了简化几乎总是使用晶体管规格表或数据表标准参数的使用。这些启用不同的晶体管，要比较的性能。它们也使晶体管参数来定义可以很容易理解的方式。晶体管规格表可在互联网上，或者他们可能会发现在晶体管手册厂家出具的多年。今天，大部分的晶体管数据是可用制造商的互联网网站作为本文基于的数据书籍是生产成本高和不容易传播。

选择使用晶体管规范或数据表晶体管，时，需要能够理解不同的晶体管规格是什么意思。

晶体管规格参数有为数不少的标准参数的缩写，用来定义一个晶体管的性能。这些参数的定义概述于下表 ︰
参数定义和描述类型数字设备的类型号码是分配给设备个别部件号。设备编号通常符合 JEDEC （美国） 或亲电子 （欧洲） 的编号系统-请参见相关文章根据主要的左手菜单块。也是日本的标准体系，为晶体管编号。 案例的案例风格-各种案例的标准案例风格都可用。这些通常的形式 TOxx 含铅设备和 SOTxxx 表面贴装器件。请注意它也是重要检查销连接，因为它们并不总是标准。偶尔地，他们可以是欧洲央行，而这可能造成混乱，在某些情况下，一些晶体管类型可能在 EBC 格式有他们连接。 材料材料用于该设备是重要的因为它影响到结正向偏压和其他特征。用于双极晶体管的最常见的材料是硅和锗。 极性极性是设备的非常重要的。它定义的偏置极性和设备的操作。这两种类型是 NPN 和 PNP。Npn 型是最常见的类型。它具有更高的速度电子是多数载流子和这些有更大的机动性比挖洞。当运行在共同发射器配置，NPN 电路将使用积极的轨道电压和负共同线，PNP 晶体管将需要负轨和积极的普通电压。 VCEO 集电极发射极电压与基地开放电路 VCBO 收藏家基地电压与发射极开路 VEBO 发射基地电压与收集器开路 IC 采集器当前 ICM 峰值收藏家当前 IBM 峰基地当前提取总功耗-这是通常为 25 C.环境温度它是安全可以为其既定的包，晶体管耗散功率最大值。 Tj 交界处的温度-必须小心以确保不会超过这一数字否则该设备可能会损坏或长期可靠性受到影响。功耗 / 温度曲线经常提供便于计算。 所关注环境温度 Tstg 储存温度。这是可能的存储设备的温度范围。超出此范围，损害可能发生在设备中使用的材料。工作温度范围通常是存储温度范围的范围内。 员工收藏家基地截止当前 IEBO 发射极基截止当前 hFE 向前电流增益 VCEsat 收集器发射极饱和电压 VBEsat 基地发射极饱和电压 Cc 收集器电容 Ce 发射极电容共同发射极电流在哪里获得的频率频率-转型期金融时报 》 属于统一，即晶体管增益带宽积。它通常被以 MHz。晶体管的工作频率通常应低于跃迁频率。 使用晶体管规格和参数时，它值得记住，”绝对最大额定值”详细晶体管数据表中的值，如果他们超过可能导致晶体管的失败。最大额定值通常包括收集器基地电压、 发射基地电压、 集电极电流，发射极电流和收集器功率耗散。