BARITT 二极管教程

BARITT 二极管或屏障注射渡越时间二极管有许多相似之处到雪崩二极管的使用范围更广。

像雪崩二极管更熟悉的情况下，BARITT 用微波信号的产生，往往在应用包括防盗警报系统等，在那里它很容易能够制造简单的微波信号与噪声相对较低水平。

BARITT 基础知识

BARITT 是非常相似，在许多方面与雪崩，但主要的区别是 BARITT 二极管使用热电子发射，而不是雪崩倍增。

使用这种形式的优点之一是排放的，过程是排放的远远更少噪音，因此 BARITT 不会遭受同样的噪音水平雪崩一样。

基本上 BARITT 二极管包含两个背靠背的二极管。当跨设备应用潜力时，在反向偏置的二极管之间会出现最大潜在跌幅。

如果这种电压然后增加直到见到耗尽区的边缘，然后已知条件通过凸模发生。

BARITT 二极管 IV 特性的图形表示形式

图中可以看到，击穿电压，虚拟样机技术是不同的两个方向。这种差异起因于不对称的两个路口，可以控制二极管的制造阶段。他们可以作出不同或几乎相同。

BARITT 二极管电压和电流波形图形表示

电荷被注射之后，它传播为基材的饱和漂移速度。

从图中看出，可以看到的是，注入电流处于阶段与射频电压波形。这会导致在非理想电流波形情况下流动的积极阻力区域，因而损失是在雪崩中比 BARITT 更高。

终端的电流脉冲宽度由过境时间即 L/vsat （间隔分开的 L 和甚小孔径终端电极在哪里是饱和漂移速度）。这构成的周期大约四分之三。

鉴于 BARITT 二极管的物理限制，电源性能变差近似地作为频率的平方，有的因为更高的频率要求较小的分离电极之间，这反过来又限制可以使用的电压。也的效率降低了频率越来越高。对于低频率运行它可能周围 5%或多一点。