UMOS 和 UMOSFET

UMOS 场效应晶体管或 UMOSFET 是一种用于 MOS 晶体管的垂直或”战壕”式结构。这种形式的半导体”沟”或垂直半导体技术提供速度和降低对电阻方面的巨大优势。因此很多厂家的半导体电子元器件提供垂直形式的他们 MOS 晶体管的结构。

UMOS 晶体管是非常类似于 VMOS 场效应管。它是稍晚发展的同样的基本原则。UMOSFETs 是能够提供一个有用的函数，在很多较高功率应用中，电源以及射频功率晶体管。

从结构的 UMOS FET，图中可以看到，它是非常相似的 VMOS 场效应管。主要的区别是 v 形的底部扁平给它 u-因此 UMOS 的名称。

随着 VMOS 场效应晶体管，其中结构是非常相似的关于新设备最突出的一点是”U”型槽结构是关键设备的操作。”U”型槽执行”V”槽在 VMOS 场效应晶体管中找到相同的功能。

可以看到的是源是顶部的设备，并且流失是在底部。而不是在标准的 FET 横向流动，在此设备中流过的电流垂直。

UMOSFET 或 UMOS 场效应晶体管结构

设备使用两个连接的源，因此有更大的区域当前可以流过。这减少了对电阻的设备，这样就可以处理更高权力比常规 Fet。

门由包含一个电容区在”U”型槽和这控制的 UMOSFET P 区的电流。大门制作以这种方式它意味着 UMOS FET 保留极高的输入的电阻典型的 MOS 系列设备。