EEPROM技术教程

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EEPROM是一种半导体存储器芯片，用了许多年。电可擦除可编程只读存储器，这提供了一个洞察其操作方法缩写EEPROM站。EEPROM是一种非易失性存储器，可以改变电。

EEPROM技术是一种非易失性半导体存储器芯片的第一形态。其发展出来的标准EPROM技术在上世纪70年代和80年代，是很普遍的。这些都是可编程EPROM存储器，通常用机的软件，然后通过紫外线擦除芯片之后，如果需要改变软件。虽然擦除过程花了一个小时左右，这是相当可以接受的发展环境。然而，这些半导体存储器不能被电擦除，而一个完全的电气装置将更方便。

1983，一个开发小组在英特尔乔治perlegos领导下开发出一种技术基于现有的EPROM技术。一个除了现有的存储器结构，新的EEPROM存储器可电擦除和编程。投放到市场上的第一个EEPROM器件是英特尔2816。

后来很多EEPROM发展经验离开了英特尔，成立一个新公司命名为问卷技术开发和制造进一步的EEPROM技术和其他的半导体存储器件。

EEPROM存储器的优势，除了数据存储的非易失性，就是可以从中读取数据并将它写数据到它。擦除数据，相对高的电压是必需的，和早期的EEPROM需要外部高电压源。这些内存芯片版本确认有一个额外的供应是EEPROM的许多电路设计的难度，他们把高电压源到EEPROM芯片。这样的存储设备，可以从一个单一的供应，从而大大减少了使用EEPROM的整体电路的成本和简化设计。

使用EEPROM要记得读写周期比那些经验丰富的内存慢得多的时候。因此有必要使用存储在EEPROM存储器以这样一种方式，这并不妨碍整体系统运行数据。典型的数据存储在它可以在启动时下载。同样重要的是要注意，写和擦除操作是按字节每字节的基础上进行的。

EEPROM存储器使用相同的基本原则，是由EPROM存储器技术的应用。虽然有几个不同的存储单元配置，可以起诉的基本原则，是背后的每个内存单元是相同的。

存储器单元通常包括2场效应晶体管。其中之一是存储晶体管。这就是所谓的“浮动门。电子可以被困在这个门，和存在或不存在的电子就等同于存储数据。

一般在存储单元的晶体管是众所周知的存取晶体管和它的EEPROM存储单元的操作方面的要求。

在存储设备的整体EEPROM系列，主要有两种记忆类型是可用的。存储设备操作的实际方式取决于其上的味道或记忆类型，因此它的电气接口。

• 并行EEPROM存储器：&nbsp；并行EEPROM器件通常有一个8位宽的总线可以覆盖多处理器应用的完整记忆。大多数设备片选和写保护引脚和一些微控制器用于对软件集成并行EEPROM存储。

  一并行EEPROM操作比类似的串行EEPROM更快，而且操作较简单的等效串行EEPROM。缺点是串行EEPROM是由于高引脚数较大。他们也已降低普及的串行EEPROM或Flash作为结果的便利和成本优惠。快闪记忆体提供更好的性能，在同等的成本，而串行EEPROM提供体积小。

• 串行EEPROM存储器：&nbsp；串行EEPROM的操作是由于有较少的引脚更困难的操作必须在一个串行的方式进行。作为数据以串行方式传输，这也使得他们比并行EEPROM相比要慢得多。有几个标准接口类型：SPI，I2C，微丝，UNI / O，和单五种常见类型。这些接口需要1和4之间的控制信号进行操作。使用这些接口，这些半导体存储器器件可以包含在一个八引脚封装。结果，这些内存设备的封装，可以作出这么小是他们的主要优势。

一个与EEPROM技术存在的主要问题是它的整体可靠性。有2种方法，在这些内存设备可以失败：

• 耐力：&nbsp；发现EEPROM存储器的写操作期间，栅极氧化物在浮栅晶体管的存储单元的逐渐积累捕获电子。与这些被困电子相关联的电场与浮置栅极中的电子。作为一个结果，有没有电子在浮动栅极的状态仍然有剩余磁场，并随着越来越多的电子被困，一个条件，最终上升时，它是不可能区分零状态的阈值不能被检测到，并在程序状态的细胞被卡住。制造商通常指定最小数量的重写周期为1000万个或更多
• 数据保留时间：&nbsp；数据保留时间也是非常重要的，特别是如果EEPROM包含软件，用于电子设备项目所需的操作。数据保留期是有限的。这一事实的结果，在存储过程中，注入到浮动栅极的电子可能会漂移通过绝缘体，因为它不是一个完美的绝缘体，特别是在温度升高。这会导致任何被存储在浮置栅极中的电荷被丢失，并且存储单元将恢复到它的擦除状态。所采取的时间是很长的时间，制造商通常保证数据保留10年以上的大多数设备。

EEPROM技术还广泛应用于电子工业的许多领域。虽然Flash已经占领了市场此前由EEPROM存储器技术为主的许多地区，它仍然是用在许多领域，尤其是串行EEPROM可容纳在非常小的封装。