FRAM铁电随机存取存储器的教程
- 铁电存储器FRAM –
- 技术与操作
铁电存储器，铁电存储器，也被称为铁电存储器是一种多种形式的记忆，现在提供给开发人员。
F-RAM是一种非易失性存储器，这意味着它与闪存的直接竞争对手，虽然有几个优点和缺点来使用它。
虽然名字或铁电存储器FRAM似乎表明，铁元素存在在记忆这不是事实。
铁电存储器的历史
FRAM可以追溯到半导体技术的早期发展。这一想法最初是在1952提出的，但在这一构想开始前几年，在实施该技术所需要的技术的不存在时，它需要许多年的发展。
上世纪80年代开始的一些工作，然后在20世纪90年代初，美国航空航天局的一部分进行了工作的技术检测紫外线辐射脉冲。
然而，在1999的第一个设备生产，此后公司包括富士通，Ramtron公司，德克萨斯仪器，三星，松下，英飞凌等已经使用的技术。
铁电存储器的使用
目前铁电存储器是不如许多更成熟的技术包括DRAM和闪存。这些技术已经成为根深蒂固的，他们的使用是广泛的。由于开发商往往依靠可信技术，保证提供他们需要的性能，他们往往不愿意使用像FRAM不保证提供技术。也有问题，如内存密度，限制了内存的大小，导致他们不这么广泛使用。
然而FRAM技术现在被嵌入到使用CMOS技术使MCU有自己的FRAM记忆芯片。这需要较少的阶段，比将闪存芯片，从而提供一些显着的成本削减的数字所需的数量。
基本铁电存储单元
进一步的优势，除了存储非易失性是其极低的功耗，极其适合于使用在MCU功耗往往是一个关键问题。
FRAM技术与其他技术的比较
为了决定是否使用FRAM存储器技术，往往需要比较其运营能力与其他竞争者的内存技术。
| 在FRAM存储器技术的比较 | ||||
|---|---|---|---|---|
|  ； | FRAM | SRAM | EEPROM | 闪光 |
| 非挥发性 | 是的 | 不 | 是的 | 是的 |
| 写的耐力 | 100万元（即10，15） | 无限 | ~ 500 000 | 10 000 |
| 写入速度（13 KB） | 10ms | <；10ms | 2S | 1 |
| 平均有功功率（和微/兆赫） | 八十 | 和60 | 高达10毫安 | 二百六十 |
| 动态位寻址编程 | 是的 | 是的 | 不 | 不 |
框架的优点和缺点
FRAM具有相比，闪存是其最接近的竞争对手很多明显的优势。但它也有一些缺点。这些需要平衡对整体系统的要求，在选择是否使用闪光灯或FRAM用于电子系统的记忆。
| 优势较低功耗使用更快的写性能更大的写擦除周期 | 缺点，较低的存储密度，整体容量限制，成本较高 |
作为一个结果的各种优点，FRAM存储器被用在各种情况下，它为开发者提供了一个选择，一个附加的内存选项。方面包括其几乎无限的生命和速度，使其成为一个有吸引力的选择在一些情况下。