相变随机存取存储器，P-RAM

相变随机存取存储器，P-RAM，是一种非易失性存储器，比广泛使用的是闪存更快。

这种形式的记忆是由若干名包括相变存储器称，PCM。

相变存储器PCM是基于一个被称为memresitor，最初是由休利特帕卡德开发的技术。

现在PCM相变存储器已采取了一些其他的厂商包括：英特尔；恒忆（微米现在拥有）；三星；和别人。相变存储器被看作是一个显着的进步，并有可能成为半导体存储器的主流格式之一。

P-RAM基础

相变存储器、相变和相变随机存取存储器，P-RAM，利用一个独特的特性的一种物质叫做硫系玻璃。

P-RAM使用事实两个国家之间的硫系玻璃的变化，晶和由电流产生的热量在通过细胞通道非晶。这就产生了名字相位的变化，因为两者之间的物质变化或阶段。

在无定形状态的材料表现出高的水平的阻力，而且还低反射率。

在多晶状态的材料具有规则的晶体结构，这体现在一个变化的性质。在这种状态下，它具有一个低电阻作为电子是很容易地通过晶体结构移动，并且它也表现出高反射率。

P-RAM，相变内存的图形结构

对于相变存储器/相变存储器，它是感兴趣的电阻电平。电池周围的电路，然后检测电阻变化的状态，因为有一个不同的电阻，并作为一个结果，它检测到是否有“1”或“0”存储在该位置。

两国之间的硫系相变带来的是通过局部加热带来的结果，注入一个定时周期电流。材料的最后阶段是由注入电流的大小和时间的操作调制。

电阻元件提供加热从底部电极的硫族化合物层。电流通过电阻加热元件提供热量，然后转移到硫族化合物层。

此外，该技术的最新发展，实现了2个额外的状态，有效地增加了一个给定大小的设备的存储。

相位变化技术的优点是，当功率从设备中移除时，状态保持不变，从而使它成为存储的非易失性形式。

P-RAM优势

相变随机存取存储器，P-RAM提供了一些显着的优势超过其主要竞争对手是闪存：

优势：

• 非易失性：相变存储器是一种非易失性的存储器，即它不需要保留它的信息的能力。这使它能够直接与闪存竞争。
• 位变：&nbsp；类似于RAM或EEPROM，P-RAM / PCM是所谓点可变。这意味着，信息可以直接写，而不需要擦除过程。这就给了它一个显着的优势，在闪光，这需要一个擦除周期之前，新的数据可以写它。
• 快速的读取性能：&nbsp；相变RAM，P-RAM / PCM具有快速随机存取时间。这有好处，它可以直接从内存中执行代码，而不需要将数据复制到内存中去。的P-RAM读取延迟与单位每单元NOR闪存，而阅读是类似于DRAM的带宽
• 写入/擦除性能：&nbsp；写擦除性能P-RAM具有更快的速度和更低的延迟比NAND Flash很好。由于没有擦除周期是必需的，这提供了一个全面的显着改善了闪存。
• 可扩展性：&nbsp；对于未来，对P-RAM的可扩展性是另一个领域，它可以提供的优势，虽然这是尚未实现的。推理是，NOR和NAND Flash的变种，依靠浮栅存储器的结构，这是很难缩小。它被发现，作为存储单元的大小减小，存储在浮置栅极上的电子的数目被减小，这使得这些较小的电荷的检测更难以可靠地检测。P-RAM不存储电荷，而是依赖于一个电阻的变化。其结果是不易受相同的缩放困难。

缺点：

在这有许多的PCM相变存储器、相变存储器成功商业化的障碍。

• 多比特存储每个细胞的闪光：&nbsp；Flash存储和检测每个细胞的多比特仍然给Flash存储器容量优势P-RAM能力。虽然P-RAM / PCM为未来可能的可扩展性的优点。
• 商业上的可行性：&nbsp；尽管对P-RAM优势的许多说法，很少有公司能够发展已成功实现商业化的芯片。