双向可控硅的教程/介绍 结构 理论与操作 移民局 晶闸管 双向可控硅是控制电流的一三端半导体器件。它得名于术语三极管交流。 它实际上是一个发展的晶闸管或晶闸管，但不同的晶闸管，只能向一个方向进行，这是一个双向可控硅装置。 可控硅/晶闸管的比较 双向可控硅是用交流开关应用的理想设备，因为它可以控制在一个循环交替的两电流。晶闸管只能控制一个周期的一半以上。在余下的一半没有传导发生，因此只有一半的波形可以利用。 典型/理想的可控硅&amp；晶闸管的开关波形 事实上，双向可控硅可以用来控制电流…

场效应管概述&amp；类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管，场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 HEMT或高电子迁移率晶体管是一种场效应晶体管，场效应管，是用来在微波频率下提供非常高的性能水平。 HEMT的结合提供了一个低噪声结合在很高的微波频率下操作的能力。因此，该设备是使用在射频设计领域的高性能是必需的，在非常高的射频频率。 HEMT器件的发展 …

场效应管概述&amp；类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管，场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 FinFET技术最近看到大量采用内使用集成电路。 FinFET技术承诺提供将需要确保在集成电路集成水平的提高目前的进展可以保持可扩展性优异的水平。 FinFET提供集成电路处理，意味着它已被作为一种主要的方式用于在集成电路技术的优点。 这种类型的场效应管教…

场效应管概述&amp；类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管，场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 该器件是一个高性能的场效应晶体管，主要用于高性能微波应用和半导体射频放大器的形式。 缩写MESFET代表金属半导体场效应晶体管。 在其最流行的形式，它是由砷化镓和称为偏置。 GaAs FET或MESFET的许多功能与标准的结型场效应晶体管和JFET，虽然M…

晶闸管 / 可控硅教程 晶闸管结构 晶闸管理论和操作 GTO 可关断晶闸管 移民局 双向可控硅 晶闸管或硅可控的整流器，SCR 是找很多用途，特别是在电子学中，功率控制。这些设备甚至被称为高功率电子的主力。 晶闸管是能够切换大级别的力量将因此它们用在各种各样的不同的应用程序。晶闸管甚至发现在低功耗电子学中使用，在使用它们的在许多电路从调光器电源过压保护。 词 SCR 或硅可控整流电路通常同义词与晶闸管-SCR 或硅可控的整流器是实际使用的通用电气贸易名称。 SCR 的发现 1950 年，晶闸管的…

FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET VMOS 场效应晶体管或 Fet 是一种形式的功率 MOSFET 和这些电子组件用于各种应用程序需要有中等的权力。VMOS 场效应管获得它的名字来自它是”垂直金属氧化硅”的事实。从这可以想象 VMOS 场效应管有很多相似之处…

FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET 交界处 FET 或 JFET 是更广泛使用的电子元件之一。场效应晶体管，待开发的第一个形式，它用于在电子设计中的许多应用程序。 场效应管或 JFET 交界处是兼用的形式在集成电路内及离散的电子元器件，电子组件。然而，JFET 的年轻关系，MOSFE…

FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET 场效应晶体管、 场效应管已经成为电子行业内非常广泛的设备。 虽然它后来比双极晶体管进入主流电子场景，它有很多用途和整体是任何其他活动的设备更为广泛的应用。 许多不同类型的 FET 习惯从离散的小信号设备，通过电力电子技术。但是它是供其使用集成电路内…

FET 概述 & 类型摘要 场效应管规格 交界处、 场效应管 JFET 场效应管 双栅 MOSFET 功率 MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS GaAs 场效应晶体管 / MESFET HEMT / PHEMT FinFET UMOS 场效应晶体管或 UMOSFET 是一种用于 MOS 晶体管的垂直或”战壕”式结构。这种形式的半导体”沟”或垂直半导体技术提供速度和降低对电阻方面的巨大优势。因此很多厂家的半导体电子元器件提供…

光敏三极管 光敏三极管符号及电路 光电晶体管 光电耦合器 / 光电隔离器 请参见 光电二极管 还有种类繁多的电子设计器可用的光敏器件。虽然光电二极管履行很多要求，晶体管或照片晶体管也是可用的和更适合于某些应用程序。提供高水平的增益和标准设备，成本低，可以在许多应用程序中使用这些器件。 照片晶体管的想法已经认识很多年。威廉 · 肖克利首先提出了思想于 1951 年，不长时间后发现了普通晶体管。它当时只有两年之前照片晶体管被证明。自那时以来器件在各种应用程序，使用和它们的发展一直延续至今。 光敏三极…

齐纳二极管参考教程 齐纳二极管理论与结构 齐纳二极管电路 规格及特点 带隙基准源 其他二极管 齐纳二极管被广泛用作电子电路中的电压参考二极管。齐纳二极管允许简单的电压调节器电路被做，除了这个，他们是廉价和容易制造。 齐纳二极管已经很多年，可用，如今他们广泛应用于许多领域的电子线路。他们明显的用途是内电力供应监管机构，但它们可以作为在许多电子线路的合理稳定的参考电压。此外，它们可以用于删除可能不需要的波形中的山峰。在一个特定实例中他们可以用于删除，可能会破坏一个电路或导致其超载的穗状花序。 虽然齐…

阶跃恢复二极管或开关磁阻电动机是一种可以用作一个电荷控制开关的半导体二极管，它有能力生成很尖脉冲。鉴于它的操作方法，它也称为”管理单元关闭”二极管、 二极管”电荷存贮”或”内存变容管”。 设备在微波射频电子脉冲发生器或参量放大器作为发现大量的应用程序。它发现用途中不同的角色，包括非常短脉冲的产生、 超快波形产生、 梳的一代和高次倍频的数目。二极管，也有能力在中等功率水平，工作，这给它提供一些其他无线电频率技术的明显优势。 开…

变容二极管教程 突然 & 超突变结结 规格及参数 变容二极管电路 其他二极管 变容二极管或变容二极管的半导体器件，广泛应用于电子行业并使用在许多应用中需要电压控制可变电容的地方。虽然术语变容二极管，变容二极管可以交替使用，较常见的术语这些天是变容二极管。 虽然普通 PN 结二极管表现可变电容效应，这些二极管可以用于此应用程序，优化，以提供所需的更改在电容的特殊二极管。变容二极管或变容二极管通常使电容的变化，取得的方式，他们可以制造很多更大的范围。有各种类型的变容二极管从相对标准品种到那些…

PIN 二极管教程 PIN 二极管特性 PIN 二极管结构 PIN 二极管中的应用及电路 其他二极管 PIN 二极管，p-i-n 二极管是本质上是普通的 PN 结二极管的提炼。它的发展从原始的 PN 二极管发展活动站起身来申请新的二极管很快就被发现。 PIN 二极管不同于基本的 PN 结二极管，PIN 二极管包括一层内在材料的 P 和 N 层之间。由于固有层 PIN 二极管有高的击穿电压，他们也表现出较低的结电容。除了这大的删除区域的 PIN 二极管作为光电二极管是应用的理想选择的。 PIN 二…

雪崩二极管教程 理论与操作 结构和制造设备 俘 其他类型的二极管 雪崩二极管或给它的完整名称，影响电离雪崩渡越时间二极管是一种用来产生微波无线电频率信号的射频半导体器件。 与工作频率之间约 3 和 100 g h z 或更多的能力，该微波二极管的主要优点之一就是相对较高功率的能力 （通常十瓦及以上） 时相比，其他形式的微波二极管。 雪崩二极管优点很多，虽然与高稳定频率合成器提供高水平的性能和改善其他半导体技术，近年来它已广泛不。 应用程序 雪崩二极管是理想需要小成本有效的微波无线电来源的地方。发…

指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 高亮度发光二极管，也被称为 HBLEDs，现在正进入市场。 正如其名称所暗示这些高亮度发光二极管提供亮度比标准 led 灯的高水平。 由于其性能高亮度 Led 现在正进入地方其他技术有至高无上的统治地位之前的许多领…

指示灯类型 LED 技术 LED 历史 LED 特性 LED 的规格及参数 LED 的配置和服务套餐 LED 的结构和制造设备 OLED 的基础知识 OLED 技术及操作 PMOLED-无源矩阵 OLED AMOLED-有源矩阵 OLED 高亮度 HBLED LED 寿命 其他二极管 LED 或发光二极管技术广泛应用于今天的电子设备。不只如此，但 LED 技术的发展近几年，除了作为电子设备的一项指标，该技术在显示以及照明用。 快速发展带来了关于什么是 LED 技术可能被用于下一步的问题。 其实远…

激光二极管技术 激光二极管类型 结构和材料 理论与操作 规格及特点 一生，失败和可靠性 其他二极管 半导体激光二极管技术是在今天在电子行业的许多领域中广泛使用。 激光二极管技术，与激光二极管提供发展激光灯的成本有效和可靠的手段上，目前运作良好。 被贷款本身在许多领域的电子从 CD、 DVD 和其他形式的数据存储通过电信链接中使用的激光二极管，激光二极管技术提供发展相干光十分便利手段。 激光二极管概述 激光二极管用于电子从国内的设备，通过执行哈希算法的工业环境的商业应用的所有领域。激光二极管在所有…

场效应管概述&amp；类型总结 场效应管的规格 结型场效应晶体管，场效应管 MOSFET 双栅场效应管 功率MOSFET VMOS UMOS TrenchMOS 砷化镓场效应晶体管/场效应晶体管 HEMT、PHEMT 鳍式场效电晶体 所有类型的FET今天广泛应用的电子元件。对所有类型的MOSFET场效应管，可能是最广泛使用的。 尽管MOSFET已使用多年，这些电子元件仍然在今天的电子场景的一个非常重要的因素。不仅在许多电路中的分立元件MOSFET，但他们也形成了大部分的基础上今天的集成…

光电二极管基本知识 针 / PN 二极管 雪崩光电二极管 肖特基二极管 光电二极管结构及材料 光电二极管操作及理论 其他二极管 光敏三极管 光电二极管广泛应用在电子行业中各种从探测器在 CD 播放器到宽带光通信系统的领域内。 光电二极管技术的成功归功于其简单、 低成本而又坚固的结构。尽管这 30 GHz 和更多的速度有报道最新的光电二极管技术，显示技术可以达到多少。 光电二极管的历史与发展 光电二极管技术发展出来，1940 年代在认真开始 PN 结二极管的基本发展。应用程序使用的 PN 结二极管…

BARITT 二极管教程 其他二极管 BARITT 二极管或屏障注射渡越时间二极管有许多相似之处到雪崩二极管的使用范围更广。 像雪崩二极管更熟悉的情况下，BARITT 用微波信号的产生，往往在应用包括防盗警报系统等，在那里它很容易能够制造简单的微波信号与噪声相对较低水平。 BARITT 基础知识 BARITT 是非常相似，在许多方面与雪崩，但主要的区别是 BARITT 二极管使用热电子发射，而不是雪崩倍增。 使用这种形式的优点之一是排放的，过程是排放的远远更少噪音，因此 BARITT 不会遭受同…