超平电路会有独特的性质

旧的规则不一定适用在构建二维材料，电子元器件时，赖斯大学的科学家。
水稻实验室的理论物理学家鲍里斯目前分析放 2 D 材料如石墨烯与氮化硼肩并肩，看看什么会发生在边境的杂交种。他们发现的这种”-平面”杂交的电子特性不同于笨重的组件。
减少电子意味着减少及其组件。学术实验室和工业学习如何像石墨烯材料可能使最终的精简设备通过建立所有必要的电路进入原子厚层。

混合动力车的二维材料，如这里所示的二硫化钼石墨烯赖斯大学的研究人员有不遵循相同的规则，其三维的表兄弟姐妹的电子性质。这两种材料之间的直接接触有限产生电场，大大增加了 p/n 结的大小。图中由亨利峪”我们的工作很重要因为半导体的连接点是一个大的领域”，目前说。”有书标志性行为的榜样电子是极为发达，已成为建立的支柱产业。但这些都是所有散散接口之间三维金属，”他说。”现在，人们正在积极努力使二维的设备，尤其是与 co 平面电子，我们意识到规则必须予以重新考虑。许多人只是在行业中利用所建模型不适用”。
水稻的研究生亨利玉为首的研究人员建立的计算机模拟，分析原子厚材料之间的电荷转移。
“这是合乎逻辑的步骤，来测试我们的理论在金属和半导体，有非常不同的电子特性，”玉说。”这使得石墨烯，是一种金属 — — 或半金属，要精确 — — 钼硫和硼氮化，半导体，或甚至其混合动力车理想系统，以研究.”事实上，这些材料已被广泛捏造和近十年，使得分析他们在领域更为明显，用社会。此外，两个杂交种的石墨烯钼二硫化与石墨烯氮化硼已经成功地合成了最近，这意味着我们的研究具有实际意义和可以进行测试在实验室里了，”他说。
目前说三维材料有一个狭窄的区域，电荷转移阳性和阴性 （或 p/n） 的交界处。但研究人员发现 2 D 接口创建”高度非本地化的电荷转移”— — 和电场和它 — — 那大大增加交界处大小。研究人员说，可以给他们像太阳能电池的光伏应用中的优势。
实验室建石墨烯和钼的二硫醚混合仿真和还审议了氮化硼石墨烯和石墨烯一半掺杂打造的结。他们的计算预测电场的存在应使 2 D 肖特基 （单向） 设备，如晶体管和二极管更可调谐基于设备本身的大小。
原子与彼此的线如何也是重要的目前说。石墨烯和硼氮化功能六角格子，这样他们完全啮合。但二硫化钼，另一种有前途的材料，不是完全平的虽然它仍然被认为是 2 D.”是否原子的结构不匹配，你得到悬键或沿边界线的缺陷，”他说。”结构有电子的行为，特别是对于什么被称为费米能级固定后果”。
钉住可以降低电气性能，在界面创造能量屏障，目前解释。”但预期不会发生变化 （当前移动顺序只在一个方向） 你肖特基势垒。这是众所周知的现象，为半导体;它是只是在两个维度，它是不同的和在这种情况下可能偏爱 2 D 三维系统。
目前表示，新的文件所提出的原则适用于图案杂交种的两个或多个 2 D 修补程序。”你可以做些特别的但基本的效果往往不在接口。如果你想要在同一平面上有很多晶体管，它是好的但你仍要考虑在路口的影响。
“还有没有理由我们不能生成 2-D 整流二极管、 晶体管或内存元素，”他说。”他们会是相同的我们通常用在设备现在。但除非我们开发适当的基本物理知识，他们可能不能做我们的设计或计划。
水稻博士后研究助理亚历克斯 Kutana 是论文的共同作者。目前是卡尔 F.Hasselmann 教授的材料科学和超微工程和化学教授。
海军研究办公室支持的研究。