第一批货的 64 层 3D 快闪记忆体

东芝公司推出了最新一代的其 BiCS FLASH 三维 (3D) 快闪记忆体与堆积的细胞结构，将会首先即日开始样品货 64 层设备。

新设备包含 3-位-每-细胞 （三级，薄层色谱法） 技术，达到 256-千兆比特 (32gigabytes) 能力，预支，突显了东芝的专有体系结构的潜力。东芝继续完善 BiCS FLASH，和发展路线图的下一个里程碑是 512-千兆位 （64-千兆字节） 的设备，还与 64 层。

新设备成功 48 层 BiCS FLASH，并且其 64 层堆叠过程实现了 40%更大的容量每单元芯片大小比 48 层堆叠过程，降低每位，成本和提高可制造性每一个硅晶片的内存容量。64 层 BiCS FLASH 可以满足苛刻的性能规格，并将包括企业和消费者 SSD，智能手机，平板电脑和记忆卡的应用程序中使用新的设备。

自从 2007 年 6 月宣布第一原型 3D 快闪记忆体技术，东芝继续推进发展。本公司积极推动 BiCS 闪烁来满足对更小更大容量的需求。

东芝将生产新的晶圆厂 2 在四日市行动，本月早些时候正式开幕，新 64 层 BiCS FLASH 和大批量生产的 64 层 BiCS FLASH 预定在 2017 年上半年开始。