硅研究员扫描地平线

首席执行官乐讲对 FD SOI 和超越

加利福尼亚州圣何塞 — — 它需要大量的时间和精力去把新的半导体技术推向市场，说行政长官的 CEA 乐。在 EE 时报 》 采访时，玛丽 Semeria 共享她的视角在法国地方一些 1,700 的研究人员获得了约 2,800 专利研究所 20 年。

EE 时报︰ 为什么完全耗尽的硅–绝缘体上 (FD SOI) 技术你研究所帮助制定了采取这么长时间，获得认可呢？

玛丽 Semeria︰ 乐开创了这项技术超过 15 年前。它可以需要十年才能证明你可以缩放技术，并准备将转移到工业与工业伙伴可以证明它可以达到大规模使用。

我们开始在 40nm 引入 FD SOI 和性能很好，但它不成本竞争力与体硅 CMOS。我们再次尝试在 32 纳米，但这不是正确的时间。两年多前在 28nm 它第一次我们可以演示测试芯片性能类似于散货及能源消费 40%低于大容量 — — 这是一次彻底革命。

为了让它通过，我们需要启用完整的生态系统。现在的重点是开发所有不同的应用程序的 FD SOI 与完整的 IP 和 EDA 工具库。

EET: FD SOI 的研究范围是什么？

Semeria︰ 切换到 FD SOI 之前它是关键知道仍有余地发展几代的产品具有吸引人的成本。乐能证明该技术可以扩展到 7nm 节点。我们已经演示了 14nm FD SOI 与意法半导体公司，和我们会显示到 10nm 基于实际数据的结果，然后你要优化的设计，性能

而且，乐是越来越多从事设计平台与客户，以评估设计在 FD SOI 与硅图书馆、 项目晶圆和演示硅。设计生态系统是非常重要的成功的技术。

EET︰ 什么硅技术你正在超越 FD SOI？

Semeria︰ 纳米线代表下一代半导体平台。我们在超大规模集成电路研讨会展示了基于硅纳米线与 300 毫米 CMOS 工艺兼容的量子计算的实现。这是一步趋成熟的技术，但还有很长的路要走，我们可以证明充分加速器或计算单元 — — 现在我们面临一个量子比特。

EET︰ 你对摩尔定律的前景的看法是什么？

Semeria︰ 摩尔定律已经被宣布结束几次……，但我们仍然看到进展，在小型化和缩放。即使停止了摩尔定律，计算机工程将仍然开车的技术和研究。

计算机工程将会重塑本身。我们将会看到未来的神经形态和量子应用程序。而我相信的关键驱动因素现在是功能集成和能源效率。

EET︰ 在您的实验室，你有什么其他有前途的半导体研究？

Semeria: 3D 单片集成我们很酷的多维数据集技术是非常有吸引力的方式，将功能集成在一个聪明的办法。好处是巨大的当你不得不设计高度连接的设备。

高通公司一直是赞助商的这项工作从一开始，我们还与应用材料上。今年第一次我们格雷充分融合业务的 pmos 管和 NMOS 电路，具有良好的电气性能。它的成熟是一个新的台阶。下一步将对 demo 的工业合作伙伴的业绩，在这种集成方案的下一个节点。

乐也做更多的工作，在传感器中。我们表明 MEMS 取得 300 毫米晶圆上，继续积极推动纳米尺度 MEMS 包括结合压力和其他传感器 9 轴传感器。我们已经表明纳米 MEMS 性能在竞争激烈的我们已经开始把这种技术在与客户的产品。

EET︰ 你对妇女在电气工程的看法是前景的什么？

Semeria︰ 我没有真正研究过这些数字，但我的印象是在过去年电气工程的妇女人数没有显著增加。但当我参加会议或参加各小组后，我能看到更多的年轻妇女感兴趣半导体技术的应用。

乐观关于妇女在电气工程中由于字段移动到……采取技术的应用更多考虑的用法……。方向是从技术到应用程序，不从技术到应用程序。所以我们去更多的数码经济，相信年轻妇女将成为更多地参与。

EET︰ 什么遗产你想要留在乐？

Semeria︰ 我为乐的志向是制定一个系统的办法，更连接到应用程序。才不是自下而上的做法。

我们想要影响社会。我们正越来越多地参与数字医学，农业，考虑到帐户使用。它是考虑创新的新途径。

— — 里克 · 梅里特，硅谷分社社长，EE 倍