Vishay 2016 超级 12 E 系列采用功率 Mosfet 现在股票在纽约电子公司

Vishay 2016 超级 12 E 系列采用功率 Mosfet 现在股票在纽约电子公司

Vishay 硅制品 SiHH26N60E、 SiHH21N60E、 SiHH14N60E 和 SiHH11N60E 提供节省空间的传统解决方案的替代产品

纽约电子现在提供 Vishay 600V E 系列功率 Mosfet 在紧凑的 PowerPAK® 8 × 8 包。建设的 PowerPAK® 允许源别针将被安排作为专用的开尔文源连接门驱动器返回路径分开主要载流源终端之一。这可以防止 L x di / dt 电压跌落在高电流路径从减少适用于 E 系列 Mosfet 栅极驱动电压。这将导致更快的开关和更多噪音免疫的电力供应设计为电信、 服务器、 计算、 照明和工业应用。Vishay 2016 超级 12 E 系列采用功率 Mosfet 现在股票在纽约电子公司

新 Vishay 硅制品 SiHH26N60E、 SiHH21N60E、 SiHH14N60E 和 SiHH11N60E,所有 Vishay 2016 超级 12年特色产品,提供大量流失终端的低热阻和开尔文源连接,可以通过改善栅极驱动信号提高效率。这个新的低姿态,表面贴装功率软件包提供节省空间的替代传统的到 220 和到 263 解决方案 — — 再加上它是符合 RoHS、 卤素和 100%铅 (Pb)-自由。

它们为 Mosfet 功率转换应用程序中使用的特点是低导通电阻到 0.135Ω 在 10V、 31nC 和低栅极电荷次导通电阻超低栅极电荷、 优点 (FOM) 的关键人物。这些值将转化为极低传导和开关损耗,节约能源。

特性与优点︰Vishay 2016 超级 12 E 系列采用功率 Mosfet 现在股票在纽约电子公司

  • 基于 E 系列 ‘结’ 技术的硬切换拓扑
  • PowerPAK® 8 x 8 足迹是 57%较小,配置文件是 1/5 的 TO-263 (D2PAK) 包高度
  • 所有功能为低热阻终端的大量流失
  • 600V,26A 最大值,135mΩ 的导通电阻最大
  • 开尔文源连接为减少的门地面循环而产生更高的性能
  • 符合 600V 和 650V 设备的 1.5 毫米最小漏电和间隙规格
  • 能够承受高能量脉冲雪崩和换向方式保证限制通过 100%的 UI 测试

应用程序︰

  • 功率因素校正
  • 反激变换器
  • HID 和荧光灯镇流器照明
  • 消费者和计算电源适配器
  • 电机驱动器
  • 太阳能光伏逆变器
  • 感应加热
  • 焊接设备

数据表︰

SiHH11N60E
SiHH14N60E
SiHH21N60E
SiHH26N60E

看到 www.newyorkerelectronics.com/Vishay_SiHH_MOSFETs 的详细信息。

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