芯片工艺战升温

加利福尼亚州圣何塞 — — 虽然数量仍然很小，完全耗尽的绝缘体硅上可以快速增长 12nm 进程转给格罗方德的计划之后。三星或新的晶圆厂，在上海接下来会否采取 FD SOI 将是一大因素，说的资深市场观察家亨德尔琼斯的国际业务的战略。

讽刺的是在半导体行业中传统上集中于下一件大事，老化 28nm 节点是可能是最大的进程关闭在 2025 年，根据当前的 IBS 预测。

通过顶尖的芯片制造商英特尔、 三星和台积电的 FinFET 进程提供最高性能和低功耗。然而在 14nm 等效，FD SOI 16.8%较低的成本每个门比 FinFETs，琼斯表示支持。它还提供了约 25%降低设计成本和风险的需要重新旋转，他补充说。

此外，FD SOI 具有独特的能力来动态管理通过偏置电源消耗。过程还提供了一流的支持，给出了 FinFETs，比明显高于截止频率的射频说琼斯出席上海上周的 FD SOI 事件。

FD SOI 体育 16.8%低硅片成本在 14nm，据估计从 IBS。(所有图表︰ IBS)

琼斯说:”我们认为智能手机应用程序处理器和调制解调器可以采用 12nm FD SOI 作为替代 10nm 和潜在 7nm FinFETs”。

如果这个过程只是索取转给格罗方德，琼斯估计它能长到高达四分之一的先进节点业务。然而，”是否三星来在大的时间，我能看到的 40-50%的 FD-SOI — — 所涵盖 14/16/10nm 业务市场潜力三星是野生卡，”他说。

中国是另一个通配符，特别是新的晶圆厂，在上海工作。华李将从中国政府，建立新的晶圆厂得到高达 $ 58 亿。然而，它并未检过程却”有合理的可能性，他们会做 FD-SOI，”琼斯说。

华李已经在现有的 300 毫米晶圆厂中运行每月约 30,000 晶片。它是包括宏力半导体制造设有 200 毫米晶圆厂华洪组的一部分。

中芯国际，可以说是中国最先进的本地拥有晶圆厂，是不可能会采取 FD SOI。它被集中在高 k 金属栅和多晶硅口味的斜向进刀 28nm 过程上。”他们正在成为主流的正确选择，”琼斯说。

中国能维持”大损失”，试图与台积电竞争的复杂的 FinFET 进程中。琼斯指出，台积电已经多达 500 名工程师致力于为性能设计支持。

总体来看，”它是有点太早”要确定什么份额 FinFET，FD SOI 和平面流程将采取，琼斯说︰ 有估计总可用市场但不是市场占有率 FD SOI