基于 CMOS 隔离技术的自定义固态继电器解决方案

硅实验室介绍了使开发人员能够使用他们所选择的特定于应用程序，基于 CMOS 的隔离的场效应晶体管 (FET) 司机家庭高容量 Fet 以取代过时的机电式继电器 (Emr) 和基于光电耦合器的固态继电器 (Ssr)。

新的 Si875x 家庭功能的第一孤立 FET 驱动程序设计的权力转移整个集成的 CMOS 隔离屏障，省去了孤立的二次侧开关电源和降低系统成本和复杂性。当与离散 FET 配对，Si875x 驱动程序为电机提供优秀的 EMR/SSR 替代解决方案和暖通空调阀门控制器继电器、 电池监测、 AC 电源线和通信交换机、 混合动力电动汽车/电动汽车的充电系统和其他工业和汽车应用。

开发商历来使用 Emr 和在切换应用程序、 基于光电耦合器的 SSRs 和两种技术都有局限性。Emr 是昂贵、 缓慢、 笨重和嘈杂。这些缺点 SSR 的用法，开车两位数的增长，但甚至 SSRs 的挑战。基于光电耦合器的 SSRs 有内在的局限性，如由于 LED 老化，短生存期降低性能和稳定性更高的温度，和减少噪声免疫力。他们也使用的集成 Fet，进一步损害性能、 成本和功耗的选择有限。

硅实验室基于 CMOS 的 Si875x 分离场效应晶体管驱动程序提供更好的选择，降低了系统成本和功耗，提高了应用程序的性能服务由 SSRs 或 Emr。Si875x 驱动程序不使用发光二极管或光学元件，由于他们在时间和温度提供优越的稳定性。小足迹 Si875x 设备提供完全沉默的开关，使他们受制于电气开关噪声和磨损问题，以及批量生产挑战的笨重 Emr 的理想替代解决方案。

Si875x 设备驱动 FET 盖茨与名义 10.3 V 使用很低的 1 mA 输入与 1.1 ms 开通时间。增加输入电流为 10 马启用 94 微秒异常快速的开通时间。独特的电源优化选项提供了最大导通电流的速度快，然后降低它 90%为静态保持当前一次可选的外部帽已出院。灵活 2.25 V 至 5.5 V 输入的侧电压支持低功率控制器提供无缝连接。Si875x 驱动程序还具有可选的米勒钳能力，以防止意外的轮上的外部 FET。

Si875x 设备有一个 2.5 kVrms 隔离评级，可以在全工业及汽车温度范围 (高达 + 125 oC)，操作和旨在满足严格的 UL、 CSA、 VDE、 CQC 标准。多才多艺的投入提供数字 CMOS 针控制 （Si8751 设备） 或二极管仿真 （Si8752 设备） 适合目标应用程序，和灵活的输出支持交流和直流负载配置。

“以其独特的健壮的、 可靠的基于 CMOS 的隔离技术和革命性的能力的权力转移跨越隔离屏障，硅实验室 Si875x 驱动程序急需替代解决方案陈旧的 Emr 和光电耦合器基于 SSRs 说︰ 提供电源产品在硅实验室副总裁罗斯萨博尔奇克。”新的 Si875x 家庭给开发人员灵活地选择符合成本效益的 FET 到他们的应用需求，定制创建容易迁移到先进的固态开关”。

Si875x 分离 FET 司机家庭亮点

• 第一个 CMOS 隔离-基于 SSR 解决方案，支持特定于应用程序场效应晶体管
• 抗干扰性能良好，可靠性高，2.5 kVrms 隔离评级
• 长寿命条件高电压 （1000v年 100 岁）
• 高效率开关︰ 10.3 V 在大门口，只有 1 mA 的输入电流
• 2.25 V 至 5.5 V 的宽输入的电压使电源节省量
• 独特的引脚功能优化电力消费/切换时间权衡
• 米勒夹紧防止意外的轮上的外部 FET
• 小 SOIC 8 包集成了低功耗的应用程序隔离和电力电容器
• AEC Q100 合格汽车级设备选项

样品的孤立的 FET 驱动程序可用现在与量产计划于 2016 年 11 月 Si875x。Si875x 设备进来小 SOIC 8 包，工业 （-40 ˚ 至 + 105 ˚） 或汽车 （-40 ˚ 到 + 125 ˚） 环境温度操作范围选项。