SK 海力士打造韩国晶圆厂

伦敦 — — 韩国内存芯片公司 SK 海力士公司宣布，它计划花费 2 兆 2000 亿韩元 （约 $ 18 亿） 打造做忠清北道清州市 NAND 闪存晶圆厂。

晶圆厂预计于 2019 年 6 月完成和 spening 是中期到长期投资成立，SK 海力士 46 兆韩元 （约 $ 380 亿） 预算的一部分。作为支出计划的一部分 SK 海力士也预计设立晶圆厂赴利川和清州。

壳体与洁净室的建设预计在 8 月 2017 年落成，到 2019 年 6 月，总投资 2 兆 2000 亿韩元的开始。公司已拥有的 M14 晶圆厂清州并在 2017 年将开始使用顶层的 3D NAND 闪存制造。

同时，SK 海力士计划投资额外 9500 亿韩元 （约 $ 7 亿 8000 万） 在无锡 DRAM 晶片在中国。无锡工厂已在自 2006 年以来的操作和目前约占 50%的 SK 海力士 DRAM 生产。

— — 这篇文章最初发表由 EE 时代欧洲。

— — 彼得克拉克涵盖 EE 时代欧洲商业新闻和模拟。