微米级移动 3D NAND 进入手机

多伦多 — — 直到最近 3D NAND 会只打市场内策略性污水排放计划，但现在微米技术说它是准备好的移动设备。

上周公司推出其第一次 3D NAND 内存技术，为移动设备优化和其第一产品基础上普遍 Flash 存储 (UFS) 2.1 标准。微米的首次进军移动 3D NAND 闪存是提供旨在高、 中端智能手机细分，构成了大约 50%的全球智能手机体积 32 GB 说吉诺 Skulick，与 EE 次微米的移动业务部门在一次电话采访中的市场营销副总裁。该公司与移动客户和合作伙伴，取样新 3D NAND 和 2016年年底它将得到广泛使用。

微米 3D NAND 的移动是第一个使用浮栅技术，生成和堆积层的数据存储单元格垂直打造是上一代平面 NAND 技术的三倍的存储容量。Skulick 说小 NAND 记忆模具三维测量仅 60.217 毫米，使微小的足迹，可以腾出更大的电池，以满足用户的期望或允许甚至更小的形式因素设备创建的内存。微米的 3D NAND 模具是小于平面 NAND 模相同容量的 30%，他说。

该公司也其 3D 基于 NAND 的多芯片封装 (MCPs)，使用低功耗 LPDDR4X 说 Skulick，提供了至多 20%能效比标准的 LPDDR4 内存，以及第一次拥抱 UFS 2.1 标准。”这是我们第一次的进军和我们得到真正好的结果”。

到目前为止，eMMC 一直在移动，选择的接口，但它不是全双工的他指出。高速度 UFS 界面支持同时读取和写入，补充 3D NAND 的性能。”这是所有关于用户体验”。

五年前，没有想到一部智能手机需要嵌入式的存储在 256 GB 的范围内，说 Skulick，但是现在微米设想需要更多的密度，在长远来看，同时平衡性能、 活动和备用电源和总体占地面积。现在，公司开始着手就要撞到一个不错的卷配置文件中，他说，虽然增强密度和虚拟现实的应用都是在那里将在未来消费的速度和密度。他把比作未来的需求的移动设备到当前的高机动的游戏 Pc。”我们试着预测数据什么运动要在这些类型的应用程序需要。”

在这里，现在，功耗是一个重要的卖点 3D nand 说吉姆 Handy，客观分析在 EE 时报 》 电话采访首席分析师。”用于程序 3D 的能量是低于程序常规 NAND 的一个相当可观的。手机群家伙打算坐起来，注意。电池寿命是他们的真正关键问题。

增加的密度，3D NAND 不只是关于多少闪光，你可以装设备，Handy 说。这也意味着，如果你可以使用一个芯片而不是两个 32 GB 的存储空间，只有一个芯片需要动力而不是两个。

Handy 以前曾推测，三星的 3D NAND 过程不可能有效或盈利所需，但为微米，它看起来像一个不同的游戏。”它听起来像微米感觉就像他们有一个真正的机会，在这个空间中被盈利”。控制器将 3D NAND 置于自己的 SSD 可以隐藏效率低下的问题，他说。”它会非常告诉谁第一家船舶不是背后的控制器的 3D NAND。”

此外，第三方控制器公司有 announcedsupport 微米的 3D NAND 技术。这一点加上采样，指示微米具有稳定进程的路线图。”它指向航运芯片，而不是航运策略性污水排放计划”。

— — 加里 · 希尔森是一般重点放在内存和闪存技术 EE 时报 》 特约编辑。