最好在类 5 G 移动发射-接收芯片与大于 12 Gbps 的数据速率

TowerJazz、 全球特种铸造领袖和加利福尼亚大学圣迭戈，微波、 毫米波、 混合信号射频和相控阵天线领域公认的领袖展示第一次更比 12 Gbps，5 G 相控阵芯片集。 此芯片集演示可以今天制作产品，以满足下一波的全球移动通信的新兴 5 G 电信标准。芯片组在 28 到 31 g h z，由 FCC 计划发布新通信波段操作。芯片集使用 TowerJazz 的高容量 SiGe BiCMOS 工艺与记录性能 28 g h z，代表数据速率与 4g LTE，提高了十倍以上，今天满足许多其他技术规范标准要求的新兴 5 G。

5 G 传输和接收芯片组取得超过 12 Gbps 的数据速率在 30 米分离，且大于 3 Gbps 时相隔 300 米，使用两个偏振。 加州大学圣迭戈分校芯片利用 16-64-256 QAM （正交振幅调制） 计划，以实现这些数据率。 实测的 EVM （误差向量幅度），用于确定收到的数据的质量的优点图表明这两种芯片集已经在表演 4g LTE 各级。 在 12 Gbps，今天报道的 64 QAM 链接方面有着不超过 5%EVM 30 米。 位于 3 Gbps 的 16 QAM 链接已小于 12 %evm 在 300 米和所有扫描角度，符号和所有与没有 FEC 或均衡。该系统在双极化模式下运行。 此外，4 x 8 （32 元） 分期阵列使用硅锗核心芯片和组装在天线和多层印刷电路板上。 已证明记录数字的 NF （噪声）、 EIRP （等效全向辐射功率） 和挣值管理等优点。

“TowerJazz H3 平台是真正的伟人，并允许为 13 20 dBm 的传输功率每个元素与高 PAE （添加电源效率） 的 20 %28 ghz。此外，它提供非常低噪声晶体管造成 2.4 dB 28 g h z、 高 q 值电感和低损耗输电线路上芯片配电，LNA NF （低噪声放大器噪声图）”说 Gabriel Rebeiz，杰出的教授和无线通信行业椅子在加州大学圣地亚哥雅各布斯学校的工程，和美国国家工程学院院士。

通过使用 TowerJazz 的 SiGe BiCMOS 工艺，加州大学圣迭戈分校的设计团队，由克里姆 Kibaroglu 的研究生和博士后研究员穆斯塔法 Sayginer，使用先进的 Keysight 设备，如 8195A 任意波发生器，DSOS804A 数字示波器和信号工作室套房与 VSA 软件，能够实现在 30 到 300 米在所有扫描角度记录链接。Rebeiz 说，”我们感谢 TowerJazz 这个美妙的过程，期待着继续合作。

今天，峰值无线数据速率为 4g LTE 可达 1 Gbps，但名义上低约 100 到 300 Mbps。 在这里，TowerJazz 展示了使用加州大学圣迭戈分校的 5 G 下一代移动产品设计与它的高容量 H3 技术作出这些速度的十倍以上。

“我们继续释放额外的技术节点，例如我们的 H5 和 H6，，具有更低的噪声器件和高速度能力。 这些技术将使 5 G 设计师来进一步提高数据速率更高的 QAM 调制方案，通过或缩小芯片尺寸，增加的这些 5 G 芯片可以执行，距离”说大卫 · 霍华德、 执行主任和 TowerJazz 的家伙。  “正如我们向我们的硅锗太比特平台添加新功能，我们支持客户技术容易的演变。这允许我们的客户共同成长与我们技术路线图作为他们的产品，5 G 标准不断发展”。

5 G 状态和最近公告

在 7 月 2016 年 FCC 发布计划，将提供新的频率谱市场提前商定 5 G （第五代） 无线标准。这包括持牌的谱大约 28，37-40 千兆赫波段和 64 71 g h z 频段。

最近的报告 (Jan 2017) 指出，5 G 通信可以促进美元 12 兆经济在 2035 (IHS Markit)，在未来 7 年内美元 2750 亿基础设施支出的可能导致从 5 G 执行在美国 （CTIA/埃森哲报告）。

虽然 5 G 标准尚未修复，从世界上领先的网络服务提供商的几份报告显示 5 G 数据速率将 1 到 10 Gbps，相比，4g 标准的 100 Mbps 到 1 Gbps。

5 G 演示开始在世界范围内。威瑞森表示它将开始预试验的 5 G 在美国使用的 28 GHz 频带，并将”实现某种程度的商业化”在 2017 年。

一个新的 5 G 营销标志已被释放的第三代合作伙伴项目 (3GPP) 电信标准组。