Everspin 小贴士第一次系统级 MRAM 祭

旧金山–MRAM 芯片供应商 Everspin 技术公司周三 (3 月 8 日) 介绍其第一次的系统级产品线，部分以此来种子更高的密度 MRAM 设备基于自旋传递扭矩 (ST) 技术仍在发展市场。

Everspin （亚利桑那州钱德勒） 介绍了家庭存储加速器，nvNITRO，据说力量 ST MRAM，提供极快的读取和写入次数与超低的延迟时间。该公司表示初始 nvNITRO 加速器将可在能力的 1 GB 和 2 GB，基于 Everspin 的 256 Mb DDR3 ST MRAM。从达 4 GB 的额外能力 16 GB 预计将稍后提供今年使用 Everspin 的即将 1 Gb DDR4 ST MRAM。

乔奥黑尔，产品行销，EE 时报采访 Everspin 的主任说:”这绝对是我们进入市场的技术，以不同的方式，新大道”。”这并不意味着，我们就退却根本在内存芯片市场的供应上。这仍然是我们的主要业务。

Everspin 仍是唯一一家公司已经发运 MRAM 的商业产品。Everspin 开始运送 MRAM 在 2006 年当它仍然是飞思卡尔和现在声称已发运超过 6000 万的 MRAM 设备的一部分。

但 Everspin 的第一代的 MRAM 技术 — — 它迄今已发货的产品绝大多数 — — 基于切换模式 MRAM 技术，最终不会大规模远远超过 Everspin 的出货量占了 16 Mb 密度。该公司的第二次-和三-代 MRAM 一直的 ST MRAM 品种，最近利用垂直磁隧道结 (pMTJ) 旋转扭矩技术。Everspin 去年 8 月成为第一家公司宣布 pMTJ 采样基于 ST-MRAM，被认为是提供最好的可伸缩性、 形状的依赖性和磁性可伸缩性的 MRAM 技术。

Everspin 的 nvNITRO 存储加速器船性能的 150 万 IOPS，6 微秒端到端延迟。Soource: Everspin。

MRAM 或磁阻随机存取存储器，一直在自上世纪 90 年代以来的发展。基于相同的磁技术自上世纪 90 年代以来在硬磁盘驱动器行业中使用，它是一组几个新兴技术已经被认为是为下一代内存的人选，以取代半导体产业万盛 DRAM 和 NAND 闪存，正在面临严重的缩放挑战，作为该行业将移到较小的节点之一。

多年来，一大批公司卷入到一个程度或另一种，其中包括 IBM、 英特尔、 三星等半导体重量级 MRAM 发展。目前，也有少量的初创公司开发 pMTJ ST MRAM，包括雪崩技术和旋转技术的转让，其中宣布它采样 pMTJ ST mram 今年早些时候。