恩智浦显示第一个 FD SOI 芯片

圣塔克拉拉，加利福尼亚州 — — 恩智浦将船舶今年多达五个 Soc 在三星的 28nm 完全耗尽绝缘体上硅 (FD SOI) 过程中，其中包括已被抽样为六个月了。三星预计将在 5 月宣布其 FD SOI 路线图，已为它的工作才对射频和内部嵌入的 MRAM。

恩智浦行政在事件在这里，一个重要的里程碑，在一个很长的旅程为 FD SOI 表明产品的首批样品。下一步寻找过程嵌入的非易失性存储器，鉴于嵌入式闪存预计将达到限制在 14nm。

拒绝透露当它预计在其 22nm FD SOI 船舶第一商业芯片或多少 tapeouts 转给格罗方德执行它已完成过程中。该公司去年宣布其第一次的 FD SOI 片，说它现在有 70 例客户服务。

“我们 FD SOI 业务现在小，但它将是主流，”瑞恩 · 李说，三星的铸造营销副总裁。

一个芯片设计师在事件说，他的公司一直感兴趣 FD SOI 很长时间。它制作了测试芯片意法半导体公司却选择了商业设计与三星公司工作，因为转给格罗方德并不是在准备直到 Sanjay Jha 成为铸造公司首席执行官后无晶圆厂公司作出了决定。

恩智浦的杰夫酒糟显示他 FD SOI i.MX 芯片样品。(图像︰ EE 次)

恩智浦描述四个 64 位 ARMv8 和一个 32 位 ARMv7 嵌入式 Soc 在其 i.MX 品牌下，三个现在在三星的 FD-SOI 的生产过程中。在未来的两年，家庭将按比例调整的 25，五倍超过其基于平面的 i.MX 芯片，针对不同的性能和功率特性优化每个设计的性能范围。

杰夫 · 酒糟，恩智浦的单片机集团总经理说:”不认为没有 28nm FD-SOI，才有可能做到”。

高端的汽车 SoC 将运行最多 8 个 1080年逐步显示和运行时没有风扇。里兹说，”它在经营条件会杀了一部手机，”三个数量级更好的可靠性。

在 3 月份宣布 i.MX 7ULP 包括独立应用程序和实时的域。它的目标广泛的衣物从家庭自动化市场。

长远来看，利兹说 FD SOI 承诺更好的模数转换器、 低功耗的收音机。例如，他预计单天线 802.11 n Wi-Fi 对功率预算的 Zigbee 和其他 802.15.4 协议和能力，采取”蓝牙低能量到新记录功率水平，开拓新的应用程序在新成本点”。