MRAM 市场将达到 $4 2025.8B

全球磁电阻 RAM (MRAM) 市场预计将达到 $ 48 亿，到 2025 年，大观研究公司非易失性的一项新调查 MRAM 的记忆和电阻式随机存取内存 (RRAM/ReRAM)，预计将取代现有的挥发性记忆动态随机存取内存 (DRAM) 和静态随机存取存储器 （静态 RAM 或 SRAM） 等。由于不同的好处，提出推进非挥发性记忆可能会更换。现有的闪存记忆正面临技术限制;和他们进一步的推进预计将增加他们的成本，因此，导致本发明能够避免数据丢失对功率放电的非挥发性存储器。

独立市场，如衣物、 嵌入式多点控制单元 (MCU) s、 智能卡和存储类记忆为企业级存储，预计将提供给市场的巨大机会。

第一代 MRAM 和二代自旋转移扭矩 MRAM (STT MRAM) 预计将取代传统的 Dram 和 sram 器件。最初，这些记忆与相关联的价格预计会很高，这将减少与增长率的事态发展。

此外，这些记忆日益增长的需求预计将促进对设备，其制造过程中使用的需求。这些记忆的制造需要专门的制造的设备，类似于所使用的磁读传感器。因此，促进增长的非挥发性存储器设备制造所需的资本设备。

市场可能会面临由于其复杂的结构和记忆的制造成本高的挑战。然而，这些挑战可以规避技术进步，增加的产量。

进一步研究的主要结果包括︰

• 北美地区主导市场，占总市场的收入，由于存在领先球员越来越多的研发活动的 36%以上
• STT MRAM 预计将保持市场主导地位，由于其广泛的应用，高性能、 热稳定性，以及更大的兼容性
• 亚洲太平洋地区预计将成为增长最快市场的增加穿透能力的云计算和数据中心，在发展中国家在目前的基础设施的改进
• 伴随越来越多的创新和研发活动的战略伙伴关系都被观察在行业
• 在市场经营中的著名供应商包括雪崩科技公司、 Everspin 技术公司、 自旋转移技术，东芝公司和番红花纳米电子有限责任公司