研究人员创建的磁随机存取存储器

莫斯科物理研究人员联手与他们的同事从kotelnikov无线电工程和电子学研究所（IRE）俄罗斯科学院（RAS）和国际相关实验室的临界现象的功能电子，声学，和成功的一种新电脑内存示范射流。他们的论文发表在应用物理快报。过渡到新发现的存储器类型可以使大量的能源节省，以及基于这种技术的设备的瞬时启动。

随机存取存储器或RAM，是任何电脑或智能手机的主要部件。内存中最常见的类型被称为动态随机存取存储器，或DRAM短。这是一个基于一个很简单的原理半导体存储器。在内存中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管。晶体管用于承认目前进入凝汽器，允许它被充电和放电。电容器的电荷存储二进制信息，通常表示为零（不带电）和（电荷）。SMT贴片加工

“到目前为止，RAM技术得到了迅速的提高，内存模块变得更快。然而，这种类型的记忆有一个主要的限制是无法克服的，即其能源效率低，说：”首席研究员Sergei Nikitov，谁是固体物理MIPT的部分副主任，放射物理学和应用信息技术，RAS和相应的成员，IRE RAS导演。“在本文中，我们提出了磁电存储器单元。这将减少点读-由10000个或更多的因素写作的能源消耗。”

在磁电存储器细胞，也被称为melram具有显著的性能，包括两部分。这两个第一压电材料。压电是某些材料在施加电压时变形，反之，在机械应力下产生电压的特性。另melram组件是一个分层结构，具有很高的磁弹性-磁化对弹性应变的依赖。因为结构是各向异性的，也就是说，它沿不同的轴组织不同，它可以沿着两个方向磁化，这对应于二进制代码中的逻辑零和一个。与动态RAM相反，磁电存储单元能够保持它们的状态：不需要连续重写，在断电时也不会丢失信息。

“我们建立了一个测试片约1毫米宽，表明它的作品，”Anton Churbanov说，在物理和量子电子学系博士生，MIPT。值得注意的是，我们使用的结构可以作为纳米级存储单元的基础，其尺寸与普通RAM单元相似。

在研究的核心是一种新型的数据读取机制，用于早期的melram细胞复杂的磁场传感器提供了一种替代，不便于降尺度。原来，有一种更简单的方式来读取信息，它不需要这么复杂的安排。当电压被施加到存储单元，该结构的压电层变形。根据应变性质，磁化假定一个特定的方向，存储信息。磁场的变化方向增加取样电压。通过检测电压，存储单元的状态可以确定。但读操作可能会影响磁化；因此，有必要重新被读取到内存单元的值。

文章的作者说，他们的解决方案可以缩小，而对其效率的任何不利影响。这使得melram看好计算机硬件的应用要求低能耗。