科学家开拓记忆技术新领域

领导的一个国际研究小组由新加坡国立大学（NUS）开创了一种薄的发展，有机膜，支持一百万次读写周期和功率比商业闪存少消耗1000倍。

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新型有机薄膜可以存储和1兆次处理数据，要比现在的规模60平方纳米甚至更小的潜力，潜力是-25平方纳米。

研究人员从新加坡国立大学为首的新型有机阻变存储器装置，更便宜和具有更高的耐久性以及更好的能源效率比商业闪存的发明。该项目的总体协调人是T Venky Venkatesan教授，新加坡国立大学纳米科学和纳米技术研究所主任（最右边）。

“我们的发明的新特性开辟了一个新的领域，在设计和开发的灵活和轻量化的设备。我们的工作转移范式对行业传统上被有机电子，并扩大这种技术进入新的领域的应用，”T Venky Venkatesan教授说，新加坡国立大学纳米科学和纳米技术研究所主任（nusnni），这一开创性的项目总协调员。

这种新型记忆装置的发明首次在2017年10月23日的《自然材料》杂志上在线报道。

全球更好的电子存储设备的需求

随着数字时代的出现，数据不断地在手机、工业机器等设备中产生和共享。基于这种存储数据的需要，硅基闪存已经无处不在。

多年来，计算机工业一直在寻求开发比商用闪存更高的耐用性、更低的成本和更好的能源效率的存储技术。由于记忆的局限性，重复性的质疑，以及缺乏对其表现方式的机制的科学澄清，该行业一直不使用记忆中的有机系统。

为了应对这些挑战，Sreetosh Goswami先生，从nusnni研究员，成功地制备了一种新型有机阻变存储器装置的性能优于商用闪存方面的耐力，能源效率和成本。他开发了600种工作装置，显示出无懈可击的再现性。

Goswami先生解释说，“第一次有机装置在工业的竞争力。同时，我们已经制定了一个清晰的画面，基于我们的原位研究有机器件一直缺乏的分子机制。“他是一个从综合科学与工程教授谁是该监管下的新加坡学校毕业的学生。

新装置采用过渡金属络合物，是由Sreebrata Goswami教授和他的团队合成，包括研究生Santi Prasad Rath先生和Debabrata Sengupta先生，从印度栽培科学协会。Goswami教授说，“我们一直致力于这种独特的金属配合物的家庭在过去的几十年中，理解是由配位体的氧化还原控制的化学和物理性质。我们的理解现在正处于一个阶段，我们可以通过汇集分子中不同的变化，添加活性函数和使用正确的反离子来制造新材料。这为解决许多科学问题开辟了新途径。”

为了了解背后的科学设备的性能，该教授建立了来自耶鲁大学的Victor Batista教授合作。除了模拟分子的光谱特性，Svante Hedstrom博士和Adam Matula先生，谁是从巴蒂斯塔教授的团队，能够识别的反离子，产生了一种非易失性存储器性能的分子的作用。

“周围的分子的反离子像一个扳手棘轮，和必要的分子的各种电子态提供稳定性达到记忆效应。巴蒂斯塔教授评论说：“这种分子水平的理解是我们在内存设备中产生的，是前所未有的，并允许我们为下一代设备创造设计原则。”。

推动内存技术的发展

研究小组计划合作伙伴的消费电子公司的新技术商业化。此外，研究人员也在寻找制造多状态记忆产生的神经形态记忆装置（类似于大脑）人工智能（AI）应用，今天增长最快的技术领域之一。

该教授的阐述，“爱依赖于神经形态计算来模拟人脑的结构。因此，神经形态记忆装置，能体现学习生物记忆特有的概念的发展是至关重要的。考虑到我们目前工作的成功，我相信我们正在创造一种创新的记忆，它将有两个以上的状态，同时保持我们目前设备的所有迷人的特性。