用于可折叠和一次性电子设备的高度灵活的有机快闪存储器

一个韩国队报道超柔性有机闪存，可以弯曲到半径300μM.记忆具有显著的长投影保留率在目前的工业标准编程电压。

联合研究小组由电气工程教授Sung Gap IM的化学与生物分子工程系教授Seunghyup Yoo说，他们的记忆技术可以应用于非常规的基材，如塑料和纸张，证明在一个广泛应用的可行性。PCBA加工

Seungwon Lee博士和Hanul Moon博士引导着作者的作用，这项研究发表在自然通讯9月28日。

闪存是一种非易失性、基于晶体管的数据存储设备，在大多数电子系统中已成为日常生活中必不可少的设备。由于操作机制简单，易于集成到NAND或NOR阵列结构中，闪存被认为是迄今为止最成功和最流行的非易失性存储器技术。

尽管在有机电子学的早期阶段有前途的示威游行，在这一领域的整体发展已经远比薄膜晶体管（TFT）或基于柔性材料的其他设备。特别是开发快闪记忆体，同时显示出相当程度的灵活性和性能，这一直是具有挑战性的。这主要是由于柔性介质层的缺乏，它是电荷隧穿和阻塞的主要原因。

用于制备大多数聚合物电介质层的溶液处理也使得由于在双层介质结构的形成过程中所涉及的复杂性，在闪存中难以使用它们，这是闪存操作的关键。

研究小组试图克服这些障碍，用薄的聚合物绝缘子发起的化学气相沉积生长实现高度灵活的闪存（ICVD），一种聚合物，已被证明为柔性TFT的制造有前途的气相生长法。它进一步表明这些ICVD基聚合物绝缘体，如果再加上合理的装置的设计和材料的选择，可以使闪存以及重大贡献。

使用传统的聚合物绝缘膜的存储器通常需要高达100伏（伏）的电压，以达到长记忆保持。如果设备是在低电压下运行，短时间保持不到一个月的时间是有问题的。

编程电压约10 V和投影数据保持时间超过10年的韩国团队制作的Flash存储器，而即使在2.8%的机械应变保持其内存性能。这是一个显着的改进与现有的无机绝缘层快闪记忆体，只允许1%应变。

团队展示了几乎可折叠的存储设备上的6-micrometer-thick超薄塑料薄膜制造该闪存。此外，它成功地在印刷纸上生产，为电子纸和电子名片等一次性智能电子产品开辟了道路。

Yoo教授说，“这项研究很好地说明了即使是高度灵活的闪存能够切实可行的绩效水平，这样才有助于成熟的可穿戴式电子设备和智能电子纸。”