戴维尼延伸铜互连5nm和下面

戴维尼公司宣布它已获得的结果强烈支持在线后端铜继续使用（BEOL）先进的互连，在5海里的技术节点和超越。

“在这第二十周年之际，铜结合，我们的研究结果验证了IBM研究员Dan Edelstein在他的主题演讲在最近IEEE纳米技术研讨会的意见，讨论铜一体化是在这里留下来，”Bruno Morel说，“首席执行官。

当设备不可避免地继续收缩（创造）来满足市场需求，设计师都在探索不同的集成方案，不仅对线路的前端，而且后段制程。这包括，最值得注意的是，在双镶嵌铜互连的替代，以弥补增加的电阻电容（RC）的延迟，伴随着细铜线和不利影响的设备的速度。建议的铜替代方案是钴，最有可能的候选人，或更多的异国情调的材料，如钌，石墨烯或碳纳米管。

先进的双镶嵌结构采用原子层沉积氮化钽（tan）铜扩散阻挡层，薄的化学气相沉积（CVD）钴衬里，和电镀铜填充层，使得最多的布线。前几代（≥7nm节点）也使用物理气相沉积（PVD）铜籽晶层之间的铜和钴的填补，但先进的设备正在逐步淘汰这部电影由于边际良种覆盖率和整合的障碍。

特别令人感兴趣的是薄的黄褐色屏障，防止铜扩散到并毒化设备。薄钴衬垫（在棕褐色的顶部）的完整性是确保屏障功能正常的关键。对5海里的技术节点钴内衬厚度减小接近3nm，减少工艺对电镀铜的传统方法的灵活性。

在最近的一项研究，比较其骚™戴维尼基础电镀铜的化学性能与常规市售碱性，酸性镀铜化学。样品被镀沉积钴在3nm左右TaN。研究结果表明，酸性铜化学袭击钴内胆，使电镀化学与底层TaN膜形成氧化钽反应（绝缘体）。TaOx形成是设备的另一个失败的模式，因为它创造了一个有效的开放电路，防止电流流。

随着“骚化学钴保持完整和TaOx未形成，使铜互连的扩展在5nm和以下工艺节点。

FRéDéRIC雷纳尔，首席技术官Aveni，评论说，“我们对这些结果非常兴奋，因为他们证实了我们的立场，基于骚碱性电镀铜化学优于酸性化学物质，特别是较薄的钴衬垫用于先进的节点。”

A公司将在2018年初发布完整的调查报告。

关于“公司

A公司是领先的开发商和供应商™化学接枝和过程用于半导体和电子行业。总部设在Massy，法国，本公司已提供变革性的化学和工艺享誉全球，再加上技术转移能力使其顺利过渡到生产的解决方案。欲了解更多信息，请点击这里。