氮化镓半导体器件市场2025美元，价值43亿美元

根据大观研究公司的一项新研究，全球氮化镓（GaN）半导体器件市场预计将在2025年底达到43亿7000万美元，GaN在各种半导体器件中的应用越来越广泛，有望扩大市场增长。此外，预计氮化镓基半导体技术的快速发展将进一步推动市场成长。

氮化镓正在迅速取代现有的硅技术，已成为功率半导体应用的首选。各种性能，如高击穿电压，更宽的带隙，大的临界电场和高的热导率，使GaN器件能够在更高的电压、高功率密度和高开关频率下工作，并能提供比纯硅器件更高的功率效率。

氮化镓基半导体提供的高温耐受性、热导率和功率密度等优点正在推动其在国防工业中的应用。此外，推定发达国家和发展中国家的国防部门开支和投资不断增加，进一步推动了该行业的增长。此外，对物联网的需求日益增长，对GaN基半导体器件的需求也越来越大，因为它们提供了更宽的带隙、大的电场和高的击穿电压。

报告中的进一步重要发现表明：

• GaN射频设备部分预计将以2017至2025的年复合增长率最高增长20.4%。这主要归功于这些产品在汽车、医疗、消费电子、国防航天等领域的各种应用需求不断增长。
• 6英寸晶圆段预计将经历21.8%至2025的年复合增长率最高的增长，得益于精确的电流控制和电压供应。
• 亚太地区市场预计将成为增长最快的地区，因为对高效率和高性能RF组件的需求激增。
• 重点行业的参与者包括NexGen公司的电力系统，公司的GaN系统公司，富士通公司，东芝公司，Qorvo，Inc.，Cree公司，高效的电源转换公司，公司与恩智浦半导体NV，等等