新技术标准可以塑造电子设计的未来

来自南安普敦大学电子与计算机科学的研究人员发现了一种提高新兴纳米技术能力的方法，它可以为新一代电子技术打开大门。这种忆阻器技术将展示在ISCAS 2018、国际电路与系统会议，在佛罗伦萨，意大利，5月，所在团队也将呈现七个原始研究论文。

在该杂志发表的科学报告的研究，研究人员表示他们将忆阻器–晶体管的简单和较小的替代方案，以改变其性能和存储多个内存状态–到一个新水平的性能实验后材料的能力。

传统上，电子学中的数据处理依赖于具有大量晶体管的集成电路（芯片），即通过开或关来控制电流流动的微小开关。

晶体管已经越来越小，以满足日益增长的技术需求，但现在已经达到了他们的物理极限，例如，为智能手机提供平均五十亿个晶体管的处理芯片。

忆阻器能够在电子时代的关键，是小而简单的形式比晶体管，低能量，和保留数据的’记忆’，通过他们的电荷量–可能导致电脑开关的瞬间和永远不会忘记的能力。

南安普敦大学的研究小组展示了一个新的忆阻器的技术，可以存储多达128个可存储状态的每个开关，比以前更近四倍。

在这项研究中，他们描述了他们是如何达到这种性能水平的评价功能氧化物材料的几种配置的–核心组件给出了忆阻器的改变的抵抗能力。

Themis Prodromakis，教授，英国南安普敦大学纳米技术研究员，说，“这真是一个令人兴奋的发现，对现代电子产品潜在的巨大影响。到2020，预计在物联网框架内将有2000亿多个相互连接的设备，这些设备将产生大量需要处理的数据。忆阻器的关键技术为下一代芯片，这需要高度的可重构而实惠，可扩展性和高效节能。”

“我们是世界领先的行业工作的激动，把创新变成新的电子系统，需要定制的定制。这样的例子包括在难以接近的环境中使用的系统，例如，人体内部、空间或其他偏远或恶劣的地方。同时，这项技术非常适合开发能够自主学习和适应的新型硬件，就像人脑一样。