低功耗、移动和可穿戴设备灵活的忆阻器电路

一个韩国的研究团队成功地开发一种节能，利用忆阻器在存储电路的非易失性逻辑。这种新颖的技术可以用作电池供电的柔性电子系统（如移动和可穿戴设备）的节能计算架构。

从电气工程学院的教授Sung Yool Choi教授李相熹KO公园从材料科学与工程系开发的非易失性存储器电路逻辑记忆。

基于晶体管的传统电子系统由于其易计算的体系结构，存在电池供电和待机时间长的问题。亚阈值漏电流引起的待机功耗限制了其在移动电子设备中的潜在应用。此外，他们在内存和处理器的物理分离导致功耗和数据传输过程中的时间延迟。

为了解决这个问题，研究小组在内存电路中开发了一种逻辑，可以同时进行数据存储和逻辑运算。由于它不需要存储器和处理器之间的数据传输，所以可以最小化能量消耗和时间延迟。

研究小组利用非易失性，基于聚合物的忆阻器和柔性背靠背肖特基二极管选择器装置在塑胶基板上。不同于传统的建筑，这基于忆阻器的非易失性逻辑在内存是一种新的计算架构，消耗少量的备用电源。这一选择一个忆阻器（1s-1m）解决不良漏电流的问题，被称为“潜行电流。

他们还实现了单指令多数据（SIMD）一次计算多个值。

本文提出的并行计算方法在存储器电路使用忆阻的非易失性逻辑可以提供电池驱动的柔性电子系统的各种潜在应用的低功耗电路平台。

Choi教授说，“在存储器电路中集成的忆阻器和选择器装置灵活的逻辑可以提供灵活、低功耗，具有逻辑功能的记忆。这将是一项核心技术，它将为移动和可穿戴电子系统带来创新。”