IMEC将EUV光刻技术的极限
IMEC继续推进EUV光刻技术，特别侧重于EUV逻辑N5金属层的单次曝光的准备，并积极的密孔阵列。IMEC的方法使EUV单模式在这些方面是基于各种光刻技术的推动者，共同优化包括材料、计量、设计规则、后处理和关键的EUV的基本理解的过程。结果，这将在多个文件在本周的2018 SPIE先进光刻技术大会上提出的，旨在显著影响的技术路线和逻辑记忆短期技术节点的晶圆成本。
极紫外单模式（左）N5 32nm metal-2层（中间）32nm制程的间距密集的线条，和（右）40nm六边形接触孔和支柱
随着工业制造在EUV基础设施显著改善EUV光刻技术的准备，在大批量制造的第一插入预计在金属的临界后端通过铸造N7逻辑技术节点层，金属球在36–40nm左右。IMEC的研究主要集中在下一个节点（32nm制程的间距及以下），在不同的构图方法正在考虑中。这些方法在复杂性方面，晶圆成本有很大的不同，时间和产量，包括EUV multipatterning变化，混合的极紫外和浸泡multipatterning，和EUV单曝光。去年在SPIE，IMEC提出了许多进展和混合multipatterning透露各种挑战的解决方案更具成本效益的EUV单曝光。今年，IMEC及其合作伙伴表现出相当大的进展，使EUV单曝光这些尺寸 ；
IMEC的路径包括各种光刻技术的协同优化，包括抗蚀剂材料，叠后处理、计量、计算式和设计技术的协同优化，和一个基本的了解的EUV光刻胶的反应机制和随机效应。基于这种全面的方法，IMEC已显示出可喜的进展包括初始电结果，对极紫外单次曝光的重点放在两个主要的用例：逻辑5 32nm制程的间距metal-2层和36nm沥青接触孔阵列。
有许多材料的合作伙伴，IMEC评估不同的抗蚀材料的策略，包括化学放大抗蚀剂，含有金属的抗蚀剂和敏化剂为基础的抗。支付给抵抗粗糙度的特别注意，和纳米的失败如桥，折线或丢失，由随机EUV图案化政权引起的接触。这些随机故障目前限制单曝光EUV的最小尺寸。在此基础上，IMEC钻研的基本认识和确定随机影响失败的主要依赖。此外，各种计量技术和混合策略保证随机现实一个准确的图片。IMEC将这个集体的工作报告，展示了各种先进的行间距和接触孔的抵抗性能。 ； ；
作为抵御材料进展就可能inssufient符合要求，IMEC还注重协同优化光掩膜堆，EUV曝光和蚀刻走向一体化模式流程实现全模式的结构。这是使用计算光刻技术，如光学邻近校正和源掩模优化，辅之以设计技术，共同优化，以减少标准库细胞区。最后，基于蚀刻的后处理技术，旨在平滑后的光刻步骤的图像产生密集的功能令人鼓舞的结果。这些多旋钮共同优化的关键是实现优化模式和边缘位置误差控制。
Greg McIntyre，高级模式在IMEC总结主任，“我们觉得这是非常有前途的进展使EUV可靠地实现单模式在这些积极的方面。这将显著影响未来几个技术节点的模式解决方案的成本效益。”
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极紫外单模式（左）N5 32nm metal-2层（中间）32nm制程的间距密集的线条，和（右）40nm六边形接触孔和支柱
关于IMEC
IMEC是世界领先的研究和创新中心在纳米电子学和电子技术。我们广受好评的微芯片技术和深厚的软件和信息和通信技术专业知识的结合使我们与众不同。通过利用我们的世界级基础设施和在许多行业中的合作伙伴的本地和全球生态系统，我们在医疗保健、智能城市和流动、物流和制造、能源和教育等应用领域创造了突破性的创新。
作为公司、初创企业和大学的值得信赖的合作伙伴，我们汇集了来自70多个国家的近3500名杰出人才。IMEC总部设在Leuven，比利时有分布的R&；D组在一些佛兰德大学，在荷兰，台湾，美国，中国，和印度和日本的办事处。In 2016, imec’s revenue (P&L) totaled 496 million euro. 在IMEC的更多信息可以在这里找到。