激光脉冲为自旋电子学和量子计算优化拓扑材料提供了一条途径

美国能源部艾姆斯实验室的科学家发现了一种控制三维（3D）拓扑绝缘体表面导电性的方法，这种材料在自旋电子学器件和量子计算中有潜在的应用。

图片说明：通过使用不到1万亿分之一秒的超短中红外和太赫兹脉冲，艾姆斯实验室的研究人员能够成功地分离和控制铋硒（Bi2se3）3D拓扑绝缘体的表面特性。

三维拓扑绝缘体是一种新兴的材料，由于其表面具有独特的电子导电状态，不受后向散射的影响，而其内部具有普通绝缘体的特性，因此具有很大的前景。

但是，在不增加散装材料散射的情况下，支撑和选择性地控制其表面高频传输仍然是一个挑战。

通过使用不到1万亿分之一秒的超短中红外和太赫兹脉冲，艾姆斯实验室的研究人员能够成功地分离和控制铋硒（Bi2Se3）3D拓扑绝缘体的表面特性。

该方法提供了一种新的“调谐旋钮”，用于控制此类材料中受保护表面的导电性。

艾姆斯实验室物理学家、爱荷华州立大学教授王吉刚说：“我们相信，这项研究可以发展成为表征和操纵这些材料的基准方法，以便更好地理解和适应新量子技术的应用。”