安森美半导体扩展范围的 IGBT 祭

2016 年 5 月 11 日

在半导体上介绍了一系列新的绝缘的栅双极晶体管 (Igbt)，利用其专有的超低场停止沟道技术。

NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和 NGTB40N120L3WG 被旨在提供业务性能水平升高为满足现代开关应用的苛刻要求。这些 1200 伏 (V) 设备都能够实现优秀总开关损耗 (Ets) 特性;性能的改进是在部分归因于很宽高度活化的场截止层和优化共同包二极管。

NGTB40N120FL3WG 具有 Ets 2.7 millijoules (mJ)，而 NGTB25N120FL3WG 具有 Ets 1.7 兆焦耳。这两个设备有 1.7 V VCEsat 在他们各自的额定电流。NGTB40N120L3WG 针对低导通损耗进行了优化，并且有 1.55 V VCEsat，在额定电流，与 Ets 3 mJ。新的超低场停止产品有共同的包装，有软关断的特点，仍提供最小的反向恢复损耗的快恢复二极管。NGTB25N120FL3WG 和 NGTB40N120FL3WG 是非常适合使用不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器，而 NGTB40N120L3WG 主要针对在电机驱动器中使用。

“我们新的超低场停止 Igbt 随着我们设法点在甜区，完美地平衡 VCEsat 和 Ets 的优化的快恢复二极管，从而导致减少开关损耗，并加强在硬开关应用中，电源效率跨范围广泛的开关频率。同时它还提供鲁棒运作和工程师期望的成本效益从 Igbt，”国家 Asif Jakwani，高级董事兼总经理安森美半导体功率离散司。

NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和 NGTB40N120L3WG 都提供符合 RoHS 标准的 TO−247 包中