MRAM 看到领先的嵌入式 Vol 记忆比赛

伦敦 — — 旋转扭矩传输磁 RAM (STT MRAM) 在 28nm 芯片生产节点按照阿尔诺 Furnemont，研究所 IMEC 内存部主任领导列入作为嵌入的非易失性存储器的一场比赛。

而其他包括电阻 RAM (ReRAM) 和相变存储器 (PCM) 的内存类型各有支持者这些内存类型有结垢问题，可能很难适应在 28nm CMOS，Furnemont 告诉 EE 时代欧洲在最近的 IMEC 技术论坛在布鲁塞尔举行。
28nm 平面 CMOS 节点预计要长寿，容纳了大量更多比摩尔的事态发展，但要这样做，它需要一个非易失性存储器选项和快闪记忆体不能有效地扩展。
有大量的材料系统争当电阻的 RAM 的基础，但其中的大多数都基于的制作与导体跨点的导电丝的断裂。问题所在，至少实现大型数组用作可能在独立的记忆
丝状 ReRAMs 不能扩展，Furnemont 说。”因为你总是最终与单丝和那需要约 100 微安稳定的长丝。当你攀登交叉点的实力并不减少，”他说。
虽然确切的电流可能会发生变化物质系统之间这枚硬币的另一面是数组大小随着电力消费的增加与位数组中的单元格数目。
IMEC 了铪、 钽氧化物 ReRAMs 在深度。Furnemont 说，那里一些可能性，ReRAM 在 20nm 但是因为它不能扩展会代表了昂贵的工程，是一个单一的节点可能只适合。”它可能是好嵌入式而不是独立的内存，”Furnemont 说。
PCM 是材料的另的记忆仍然形式周围原来的长丝，但其中涉及热致相变化在一定体积。此材料的体积和电流的大小似乎规模使它更有前途的选择;一个人能走到 10nm 在 Furnemont 的意见。
MRAM 是 28nm 纳入他最喜欢的部分是出于经济原因;因为它可以实现在尽可能少作为三个额外的掩码。此外它是兼容 CMOS 电压计划并不需要电荷泵
虽然 MRAM 可以基本上是创建在后端线，它需要由驱动晶体管在大部分中实现，因此它可以实施”自由区”，他说。
“Everspin 航运在平面 STT MRAM。下一步的发展将是去垂直，”Furnemont 说。转给格罗方德作为铸造 Everspin。
这篇文章最初发表由 EE 时代欧洲。
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