启发和弯曲的回忆

洪堡大学祖柏林，由斯蒂芬 · 赫克特教授，是虹膜间代表处，与史特拉斯堡大学与法国国家科学研究中心 （法国） 和大学的 Nova Gorica （斯洛文尼亚），协作成员领导的研究人员已经精心挑选的混合小 photoswitchable 分子和高分子半导体材料可以用于制造高性能存储器，可以写成，并通过光擦除。这种多级 （8 位） 光存储器还执行了柔性衬底，为在可穿戴式电子，电子文件，以及智能设备中的应用铺平道路。这些成果已经发表在自然纳米技术。

在谋求改善日常电子设备 （随机存取存储器、 硬盘、 USB 闪存驱动器等） 的数据存储能力，于传统的以硅为基础的技术替代战略需要制定。连续小型化的电子线路，导致记忆细胞每单位面积更大数目的一体化已经显示了其增加的制造复杂性的限制。另一种有吸引力的方法是在发展中国家存储器元件能够存储不是一个，而每个设备，通常被称为多级记忆信息的多个位。

现在研究人员从柏林，史特拉斯堡和 Nova Gorica 欧洲团队由光反应的有机薄膜晶体管混合作为一种高性能半导体聚合物微型光开关的自定义设计的分子。分别时绿灯”写”和”擦除”信息与紫外线照明，分子开关经历相互之间两种不同的形式，一个启用，其他一个防止电流流经周围半导体聚合物的可逆转换。

通过将这些组件集成到晶体管装置和使用短脉冲激光研究人员们能够构建多层次的记忆与 8 位数据存储容量。重要的是，他们的原型器件结合高耐力超过 70 写 — — 擦除周期和数据保留时间超过 500 天。

然而到另一个级别，团队可以将设备概念转移到灵活和重量轻的聚合物基质，如聚乙烯对苯二甲酸，以取代常用的刚性硅，同时考虑的工作。生成的”软”体系结构在 1000 弯曲周期，从而证明了它的鲁棒性和柔性电子适合后仍保留其电气特性。

这些发现是非常重要的高性能智能和可折叠电子 （纳米） 器件与潜在应用灵活、 多层次高密度光存储器，逻辑电路，和更一般的下一代光电光通过编程实现。港泉SMT