三星推出 3D XPoint 杀手 3D NAND 变股权出高端策略性污水排放计划
圣塔克拉拉，加利福尼亚州 — — 三星投掷到英特尔的差距和微米希望用他们新兴的 3D XPoint 内存填充其 3D NAND 闪存的新变量。消息传来微米显示在 XPoint 固态硬盘 (Ssd) 下一个新的 Quantx 品牌及其版本的 Flash 内存首脑会议性能数字后的一天。
三星宣布的计划，因为它称为 Z NAND 芯片具有相似的性能，但降低成本和风险比 3D 的 XPoint 驱动器，将电源策略性污水排放计划。然而，这是技术的对明年的某个时候将会出现在产品细节守口如瓶。
相比之下，领导其 XPoint SSD 程序微米工程师是坦率的 EE 时报采访。她描述了当前的原型为策略性污水排放计划预计大约一年的船舶使用早期的 XPoint 芯片和一种基于 FPGA 的控制器。
三星的 Z-NAND 将交付 10 x 更快读比多级单元闪存和两次是尽可能快的写操作，该公司表示。在驱动器级别，他们将支持这两个读取和写入操作在约 20 微秒，暗示一些写入性能来自于增强的控制器。
Z SSD 吞吐量在 I/O 操作/秒 (IOPS) 将”相媲美的新的微米 Quantx 产品，”在约八个队列级别，刻意低一级的峰值说田什叶派，三星产品营销说结果基于在实验室里工作硬件。
第一个驱动器会有容量能力。像今天的高端策略性污水排放计划他们将汲取充分的 25W PCIe Gen 3 插槽中，以提供最大 IOPS。
成本将是”有点超过标准的三级单元格闪光航运今天，但它将是更具成本效益比替代内存技术，”说什叶派，在对 3D Xpoint 点了点头。
东芝和 SanDisk 采访的工程师独立 byEE 时报表示，他们相信 Z NAND 闪存是单级闪存单元格在一个 3D 的 NAND 过程中巧妙的执行。 什叶派说 Z NAND 将有”SLC 样的耐力”。
三星似乎未 Z NAND 可用的 NVDIMM 主板的插入内存总线版本。然而英特尔表明它不会攻击这一机会与 XPoint 直到某个时候好后第一次的策略性污水排放计划出现明年。
三星的举动似乎是有点匆忙地准备，但精明的人。它定位现有的成本相对较低的技术，对一个仍在试图产生的新的风险更大。
一位分析师预计英特尔和微米损失直到卷崛起可能采取的最初的 XPoint 产品。英特尔可能会尝试通过出售 XPoint 作为与更昂贵的处理器平台的一部分，赔偿损失。”这是一场赌博，”说 Jim Handy 的市场观察家目的分析 （洛斯加托斯，加利福尼亚州）。
三星作为一种特殊的情况下，防御性举措，其主要的 flash 路线图外定位 Z nand 闪存。其下一个主要产品将与 64 层提供 800 Mbits/秒，说宰郑某，三星的内存部负责人 512 Gbit 芯片。
三星显示在其展台晶圆片轴承的芯片据说将船舶今年晚些时候。它将使用这种芯片放字节的存储到一个内部开发的新型扇出包，他说。这种芯片将用于三星高端基于 SAS 的策略性污水排放计划的密度，倍增至 32 TBytes。
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