富士通是奈的碳纳米管 RAM 的持牌人

无晶圆厂芯片公司富士通半导体和铸造 Mie 富士通半导体都已经宣布他们是碳纳米管非易失性存储器技术从奈公司 （马萨诸塞州沃本） 持牌人。
奈成立于 2001 年，花了 15 年时间，发展其技术，它声称提供了潜在替代成一个非易失性 DRAM。它还提供重写速度和耐力数以千计的次数高于 NAND 快闪记忆体。
奈一直奉行知识产权许可业务模型为一段时间，一直声称，其技术已安装在众多的晶圆厂和铸造厂，但直到现在没有透露任何持牌人。
格雷格 · 梅格、 奈的首席执行官和创始人，告诉 EE 时代欧洲富士通许可证处于 55nm 节点与 40nm 节点设置为跟随。他补充说，奈正在与其他伙伴在 2 X nm 节点。Shmergel 说奈为其碳纳米管内存技术包括到位已超过 12 客户”几个内存的十大用户全球。”
富士通半导体计划 2018年年底扩大产品阵容成独立的 NRAM 组件的目标与开发嵌入式 NRAM 自定义芯片。Mie 富士通半导体，是一家纯玩铸造，计划向其铸造客户提供基于 NRAM 的技术。
奈也 multigigabyte 的 DDR4 独立内存支持设计工作，梅格说。设计和任何组件的能力还不是最终的但是将四至八层及 8 至 32Gbits，梅格说。”然而，我们认为富士通可能是第一个获得产品出来在 2018 年，”他补充说。
纳米管内存操作的原则是一层的碳纳米管 (Cnt) 随机网格矩阵结构与数以百计的每个设备的碳纳米管与许多不同的交点，嵌入传统的 CMOS 工艺中。碳纳米管，使接触和有效电阻隔着层数目取决于外加电压和可以设置和重置。
由此产生的内存提供内存单元格开关速度约 20 皮秒在低能量与 5ns 实际写入速度与耐力大约 10 ^11 周期。这举着前景基于碳纳米管的 NRAM 可以优于竞争对手技术如 ReRAM 和相变存储器和规模更好地在几何成为通用存储器来取代 DRAM 和 NAND 快闪记忆体。
其他应用程序之间富士通半导体预计 NRAM 要方便后续对铁电 RAM （铁电随机存储器），奋斗规模低于 65 纳米。
雅人松宫，副总统的系统内存富士通半导体，在一份声明中说:”我们将能够在我们的经验和技能在这一领域 [FRAM] 以开发和生产，以及 NRAM”。”奈的技术与我们设计和生产的能力相结合承诺满足长期的客户对非易失性存储器是更高的密度，速度更快，更多的能源效率，并与高重写周期”。
当被问及为什么富士通正在公共牌奈技术梅格说:”我认为他们已经准备与客户交谈，他们想与客户接洽。
梅格添加的声明信号的成熟和生产前准备的基于碳纳米管的内存，并强调了一个事实，半导体行业已经是必要过渡到替换闪存和 DRAM。
 文章最初发表在 EE 时代欧洲。