氧气层可延长摩尔定律

湖威尔士，佛罗里达州 — — 摩尔法可以再扩展 san 扩展，根据罗伯特 · 米尔斯。米尔斯发明铒掺杂光纤放大器 (EDFA) — — 第一个商业和仍然很受欢迎的方法而不必先将它们转换成电信号 （再次） 放大光信号。现在米尔斯认为他发明了同样行业-更改 CMOS 技术叫米尔斯硅技术 (MST) 在 Atomera Inc.（洛斯加托斯，加利福尼亚州，原本 Nanovis LLC）。

Atomera 我们的愿景是如何构造硅，所以它会允许它的工作与其他类型的材料的电性能。它成立于计算机模拟，然后在晶圆上实现”米尔斯时报 EE。”在我们整个目的首先是提高电子和空穴迁移率的同时，但后来我们发现了这件事情这些其他优势。

断面图像的米尔斯硅技术 (MST) 氧超晶格层中的晶体管 （红） 通道在哪里增加流动性和驱动电流，同时降低泄漏。
(来源︰ Atomera)

MST 外延插入氧气分单层晶体管通道晶格层之间，随着他们的增长 （见图）。米尔斯声称，结果不仅提高了载流子迁移率，而且还提供更高驱动电流和低泄漏电流 （高达 50%)。氧气不是纽带与通道材料制作绝缘的氧化，而是作为超晶格调用量子约束原则，从而提高性能。性能改进也可以关闭交易为更小的芯片面积 （在同样的性能），但较低的成本，以及减少电源电压功率减少 （在同样的性能）。

“MST 过程是外延生长硅步放下在硅沉积过程中使用的标准设备，”米尔斯告诉我们。”生长过程中，我们停止定期间隔，放下单层氧为挤压传导区域结束了减少散射的电子和空穴的条件约束的硅晶格中创造一个非常微妙的干扰。

Atomera 的 MST 量子约束超晶格层 （右） 相比正常的 CMOS 晶体管 （左）。
(来源︰ Atomera)

称性能增强米尔斯的团队发现还包括改善可靠性和减少变异性 （为更高的收益和更好的晶体管匹配，分别） 由于”更有序、 更陡的逆行井/通道配置文件为更好的沟道掺杂浓度”。

性能增强的量取决于许多因素，首席执行官 (CEO)，主席和董事，斯科特比博，但”10-25%之间的范围”。好消息是 MST 可以应用在任何节点 — — 从旧式 180 纳米节点以主流 28 纳米节点到最先进的 10 7 纳米节点。例如，Atomera 在电子设备为 7/8-nm，散装 Si FinFET 技术分析题为 6T SRAM 缩放汇刊 4 月 2016年问题发表一份关于下一代的 sram 器件。那里他们说，”使用 MST 冲床通过停止层 SRAM 最低工作电压的减少通过，从而实现 ~ 15%~ 20%的 sram 存储单元面积节省。

“我们让一种技术，将添加到 CMOS 工艺的流动性增强，再加上很多其他的好处，包括更高的性能、 较低的功耗，更好的产量，降低成本，”比博时报 EE。”用我们的技术通过去下一个设计节点相同数量来提高性能 — — 而不是继续收缩。随着 MST 我们认为 28 纳米将最受欢迎的节点下一个十年中，因为只有非常大的模具使它值得移动 22 纳米.”

米尔斯在 21 世纪之交之后只是发明 MST 和自从完善技术一直在努力工作与他的团队在 Atomera 证明了此概念为微处理器，Dram、 Sram，flash，其他内存技术、 电源管理芯片、 无线射频 (RF)，模拟和 mixed‐signal 设备。公司的商业计划书是以其技术许可 — — 这受 55 项美国专利和国际专利超过 150 — — 对每个主要的半导体制造商。毕竟，所有的 fab 业主想要更多爆炸-为-及其-巴克和 Atomera 承诺把东西送去。

首席执行官 (CEO) 总裁、 董事，斯科特比博响纳斯达克开市钟在 2016 年 8 月 18 日作为新上市的公司，Atomera Inc.(ATMR)。
(来源︰ 纳斯达克)

公司走在这个时候公开上市，因为他们有三个旧式节点制造商的模拟和混合信号芯片，Atomera 预计将使他们的名字，到 2017 年 （也推 Atomera 作为 ATMR nasdaq 上市） 用作持牌人。

“有三种方式 MST 可以解决摩尔定律，”比博告诉我们。”为传统节点对于模拟和电源的设备，例如 180、 130 和 90 纳米，他们可以缩小其模大小同时获得相同的性能。65、 40 和 28 纳米 MST 可以给予一个新的水平的性能和低功耗在同一个节点，晶圆厂要生产更长的时间。在像 16、 14 和 10 纳米的非常先进节点，FinFETs 使用 MST 将允许继续使用体硅的晶圆厂而不是去其他材料，如 ⅲ-V 频道。”

Atomera 其未来的增长机会保持其手关闭-到-及其-背心 — — 除了说它希望工作其方式从传统的硅节点到流行-，然后先进的节点。然而，它宣称拥有更高的目标在望。例如，米尔斯光电放大器名声已经拐弯处如何提高光学和太阳能设备与 MST 他心理的齿轮。而根据比博公司也有改进的下一代先进的回忆在眼前的磁性材料。

到目前为止，然而，该公司只揭示了如何标准的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶圆厂可以轻松地集成到他们的晶体管的导电通道的 MST。然而，一种悖论，是一方面它强调了它是多么容易”仅仅”修改 fab 外延层设计。另一方面，它声称他们采纳者还需要咨询服务来优化氧超晶格层为特定应用程序。

一件事是肯定的是，Atomera 需要该收入流要转亏为盈，因为大规模生产可能是光年。该公司最近上市作为 ATMR，现在不得不回答给股东。因此它希望现金上许可和咨询为 $ 3500 亿半导体市场，促使纳斯达克允许比博响在 2016 年 8 月 18 日开盘的交换。

积极的一面，Atomera 说他们成本每晶圆是低于 fab 基础设施的使用寿命的替代 CMOS 增强技术包括”强调记忆、 嵌入硅锗、 双应力衬里，SOI [绝缘体上硅结构]，HKMG [高 k 金属栅].”

消极的一面，Atomera 声称已到最大晶圆厂，他们的技术，但只相信三个旧式的晶圆厂，以进行登录。什么是甚至更好奇了，声称自己从来没有向任何分析师能采访得到公正的评价的 MST。

详细信息请阅读 Atomera 的很多免费的在线报纸。

— — R.科林 · 约翰逊，先进的技术编辑